[发明专利]一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，阵列基板包括基板，以及位于基板同一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管位于外围电路区域，第二薄膜晶体管位于显示区域；第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和低温多晶硅半导体层，沿垂直于基板所在平面的方向上，第一栅极所在膜层位于低温多晶硅半导体层所在膜层远离基板的一侧；第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和金属氧化物半导体层，沿垂直于基板所在平面的方向上，第二栅极所在膜层位于金属氧化物半导体层所在膜层靠近基板的一侧；第一栅极与第二栅极同层设置。本发明以实现减少掩膜板的使用数量，减少工艺制程，降低制作成本。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法。

背景技术

在液晶显示装置、有机显示装置中，在各像素的开关元件、驱动电路中使用了薄膜晶体管(TFT:Thin Film Transistor)。在TFT中，使用了a-Si(非晶硅)、Poly-Si(PolySlicion：多晶硅)、或氧化物半导体等。

多晶硅的迁移率大、可将使用多晶硅的TFT用在外围驱动电路中，但当用作像素的开关元件时，存在漏电流大的问题。对于氧化物半导体而言，漏电流小，适合于用作像素的开关元件。但是现有技术中，将两种不同的薄膜晶体管形成在一个基板需要较多的掩膜板，增加了制作成本。

发明内容

本发明提供一种阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法，以实现减少掩膜板的使用数量，减少工艺制程，降低制作成本。

第一方面，本发明实施例提供一种阵列基板，包括显示区域和位于所述显示区域外围的外围电路区域，所述阵列基板包括基板，以及位于所述基板同一侧的第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管位于所述外围电路区域，所述第二薄膜晶体管位于所述显示区域；

所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和低温多晶硅半导体层，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第一栅极所在膜层位于所述低温多晶硅半导体层所在膜层远离所述基板的一侧；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和金属氧化物半导体层，沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第二栅极所在膜层位于所述金属氧化物半导体层所在膜层靠近所述基板的一侧；

所述第一栅极与所述第二栅极同层设置。

第二方面，本发明实施例提供一种显示面板，包括第一方面所述的阵列基板。

第三方面，本发明实施例提供一种阵列基板的制作方法，用于制作第一方面所述的阵列基板，包括：

提供基板；

在所述基板的同一侧分别制作第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；

其中，所述第一薄膜晶体管位于所述外围电路区域，所述第二薄膜晶体管位于所述显示区域；所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极、第一漏极和低温多晶硅半导体层；所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极、第二漏极和金属氧化物半导体层；沿垂直于所述基板所在平面的方向上，所述第一栅极所在膜层位于所述低温多晶硅半导体层所在膜层远离所述基板的一侧，所述第二栅极所在膜层位于所述金属氧化物半导体层所在膜层靠近所述基板的一侧，所述第一栅极与所述第二栅极采用相同的材料在同一工艺中制作形成。

本发明实施例提供一种阵列基板，包括位于外围电路区域的第一薄膜晶体管和位于显示区域的第二薄膜晶体管，第一薄膜晶体管包括低温多晶硅半导体层，第二薄膜晶体管包括金属氧化物半导体层，第一薄膜晶体管的第一栅极与第二薄膜晶体管的第二栅极同层设置，从而第一栅极与第二栅极使用同一个掩膜板图案化形成，无需为第一栅极和第二栅极分别提供不同的掩膜板，从而减少掩膜板的使用数量，减少工艺制程，降低制作成本。

附图说明

图1为本发明实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；