[发明专利]监控MOSFET栅极线端切割工艺波动的方法在审
| 申请号： | 201910788057.5 | 申请日： | 2019-08-26 |
| 公开（公告）号： | CN110488575A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 李中华;田明 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F9/00 |
| 代理公司： | 31211 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 戴广志<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 套刻 切割层 栅极线 套刻标记 图形排列 工艺波动 曝光能量 曝光条件 补正 当层 量测 前层 制作 切割 外围 反馈 监控 | ||
1.一种监控MOSFET栅极线端切割工艺波动的方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、制作前层栅极套刻图形，该栅极套刻图形排列于整个套刻标记的外围；
步骤二、制作当层栅极线端切割层套刻图形，该栅极线端切割层套刻图形排列于整个套刻标记的内侧；
步骤三、量测套刻精度值和特征尺寸值，分别补正栅极线端切割层套刻偏差和曝光能量片内分布。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一所述前层栅极套刻图形，由多个排列规则的线性条组成。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述前层栅极套刻图形呈大风车状。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤一所述前层栅极套刻图形由多个栅极条组成，该栅极条的长度为2～10μm，宽度为0.5～2μm，栅极条间距为0.5～2μm。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二所述当层栅极线端切割层套刻图形由多个排列规则的长条小孔组成。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述当层栅极线端切割层套刻图形呈大风车状。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤二所述当层栅极线端切割层套刻图形由多个孔阵列组成，每个孔阵列的长度和宽度与栅极条相等；单个孔的宽度为40～80nm，长度为120～240nm，孔长度方向的间距为90～150nm，孔宽度方向的间距为90～150nm，阵列长度为2～10μm，阵列间距为0.5～2μm。
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