[发明专利]基片处理装置和基片处理方法

权利要求书

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：

对基片进行预处理的预处理线；

配置在所述预处理线的下方，在进行了所述预处理的所述基片上涂敷光致抗蚀剂液的涂敷线；

对涂敷了所述光致抗蚀剂液的所述基片进行显影的显影线；和

配置在所述显影线的上方，对显影后的所述基片进行清洗的清洗线。

2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：

所述预处理线包括：

对所述基片进行清洗的预清洗线；和

与所述预清洗线并排配置，对由所述预清洗线清洗后的所述基片进行疏水处理的疏水处理线。

3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：

所述涂敷线配置在所述疏水处理线的下方。

4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

所述显影线配置在外部装置的上方，其中，进行了曝光的所述基片被输送到所述外部装置。

5.如权利要求4所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

输送部，其将通过所述外部装置进行处理后的所述基片输送到所述显影线，并输送通过所述清洗线进行清洗后的所述基片。

6.如权利要求5所述的基片处理装置，其特征在于：

包括对通过所述清洗线进行清洗后的所述基片进行热处理的、在上下方向上层叠配置的热处理线。

7.如权利要求6所述的基片处理装置，其特征在于：

所述热处理线的一部分配置在所述输送部的上方。

8.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

包括与输送路径层叠的、使所述基片减压干燥的减压干燥单元，其中，所述基片被从所述涂敷线送出到所述输送路径。

9.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：

包括与输送路径层叠的、对所述基片进行加热的加热单元，其中，所述基片被从所述涂敷线送出到所述输送路径。

10.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于，包括：

使所述基片减压干燥的减压干燥单元，所述基片从所述涂敷线被输送至其中；和

对经所述减压干燥并被平流式输送的所述基片进行加热的加热单元，

所述减压干燥单元在与所述加热单元中的所述基片的输送方向正交的方向上与所述加热单元并排配置。

11.一种基片处理方法，其特征在于，包括：

利用预处理线对基片进行预处理的步骤；

利用配置在所述预处理线的下方的涂敷线在进行了所述预处理的所述基片上涂敷光致抗蚀剂的步骤；

利用显影线对涂敷了所述光致抗蚀剂的所述基片进行显影的步骤；和

利用配置在所述显影线的上方的清洗线对显影后的所述基片进行清洗的步骤。