[发明专利]半导体器件封装

权利要求书

1.一种半导体器件封装，其包括：

第一导电基底，其包括第一表面、第二表面及在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的第一侧表面，所述第一侧表面包括第一曲面和第二曲面；

第二导电基底，其包括第一表面、第二表面及在所述第一表面和所述第二表面之间延伸的第二侧表面，所述第二侧表面包括第一曲面和第二曲面；

所述第一导电基底的所述第一侧表面的所述第一曲面和所述第二导电基底的所述第二侧表面的所述第一曲面相对，且所述第一导电基底的所述第一侧表面的所述第二曲面和所述第二导电基底的所述第二侧表面的所述第二曲面相对；

从所述第一导电基底的所述第一表面限定的空腔，所述空腔具有底表面和深度；设置在所述空腔的所述底表面上的半导体裸片，所述半导体裸片具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述半导体裸片的所述第二表面接合到所述空腔的所述底表面；及

第一绝缘材料，其覆盖所述第一导电基底的所述第一侧表面和所述第二导电基底的所述第二侧表面。

2.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述第一导电基底的至少一个角被平滑化。

3.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述半导体裸片的所述第一表面及所述第一导电基底的所述第一表面之间的距离约为所述空腔的所述深度的20％。

4.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述第一导电基底包括阶梯结构，其中所述阶梯结构填充有所述第一绝缘材料。

5.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述第一导电基底包括一或多个突起，所述一或多个突起的侧壁与所述第一绝缘材料的侧壁共平面。

6.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其进一步包括在所述半导体裸片的所述第二表面和所述空腔的所述底表面之间的导电粘合层，其中所述导电粘合层与所述空腔的侧壁的一部分接触。

7.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其中所述半导体裸片的所述第一表面低于所述第一导电基底的所述第一表面。

8.根据权利要求2所述的半导体器件封装，其中所述第一绝缘材料围绕所述第一导电基底的所述至少一个角。

9.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其进一步包括在所述半导体裸片和所述空腔的所述底表面之间的导电粘合层，其中所述半导体裸片具有第一厚度，所述导电粘合层具有第二厚度，其中所述第一厚度和所述第二厚度的总和小于所述空腔的所述深度。

10.根据权利要求1所述的半导体器件封装，其进一步包括设置在所述第一绝缘材料上方的焊料掩模层。