[发明专利]存储器及其制作方法

权利要求书

1.一种存储器的制作方法，其特征在于，包括：

在衬底的凹槽中形成外延层；

在所述凹槽中形成覆盖所述外延层的保护层；

在所述保护层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构，用于形成所述存储器中存储单元的栅极，所述栅极用于控制所述存储单元的导通或关断；

形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的通孔；

去除所述保护层并显露所述外延层；

在所述通孔中形成所述存储单元的沟道区；其中，所述沟道区，与所述外延层相连，用于供所述存储单元存储与写入数据对应的电荷。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：

沿所述通孔的径向方向，在所述通孔内形成所述存储单元栅极与沟道区之间的介质层及覆盖所述介质层的牺牲层；

去除与所述保护层接触的部分所述牺牲层及部分所述介质层；

去除所述通孔内剩余的所述牺牲层；

所述去除所述保护层并显露所述外延层，包括：

去除所述通孔内剩余的牺牲层后，去除所述保护层并显露所述外延层。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述通孔中形成所述存储单元的沟道区，包括：

去除所述保护层并显露所述外延层后，在所述通孔的径向方向形成覆盖所述介质层的所述沟道区；其中，所述沟道区在所述通孔的轴向方向覆盖所述外延层，并隔离所述外延层与所述介质层。

4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述去除所述通孔内剩余的所述牺牲层，包括：

在第一预设反应条件下，向所述通孔中注入去除剂；其中，所述去除剂与所述牺牲层接触后去除所述牺牲层，所述去除剂与所述牺牲层之间发生反应生产的产物为气态产物或液态产物，所述去除剂与所述保护层之间的化学反应为惰性，所述去除剂与所述介质层之间的化学反应为惰性。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的通孔，包括：

在所述堆叠结构表面形成掩膜；

对所述掩膜进行图像化处理，以在所述掩膜的表面形成图案区；

根据所述图案区，形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的所述通孔。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述保护层并显露所述外延层，包括：

在第二预设反应条件下，向所述通孔中注入刻蚀剂；其中，所述刻蚀剂与所述保护层接触后去除所述保护层，所述刻蚀剂与所述保护层之间发生反应生产的产物为气态产物或液态产物，所述刻蚀剂与所述外延层之间的化学反应为惰性。

7.根据权利要求1所述的方法，所述方法还包括：

对所述衬底表面进行图像化处理，以形成所述凹槽；

所述在衬底的凹槽中形成外延层，包括：

在所述凹槽中形成所述外延层，并基于所述凹槽的形貌形成子凹槽；其中，所述子凹槽的深度小于所述凹槽的深度。

8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述在所述凹槽中形成覆盖所述外延层的保护层，包括：

在所述子凹槽中形成所述保护层；其中，所述保护层的上表面与所述衬底表面平齐。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

所述外延层的组成成分包括：单晶硅；

所述保护层的组成成分包括：钨。

10.一种存储器，其特征在于，所述存储器包括：

外延层，位于衬底的凹槽中；

栅极堆叠结构，位于所述外延层上，包括堆叠设置的栅极与介质层；其中，所述栅极用于控制所述存储器的存储单元的导通或关断，所述介质层用于隔离相邻的所述栅极；

所述存储单元，贯穿所述堆叠结构，包括介质层及沿所述存储单元径向方向覆盖所述介质层的沟道区；其中，所述介质层位于所述存储单元的栅极与所述沟道区之间，所述沟道区在所述存储单元的轴向方向覆盖所述外延层，并隔离所述外延层与所述介质层，所述沟道区用于供所述存储单元存储与写入数据对应的电荷。