[发明专利]存储器及其制作方法

说明书

本发明实施例公开了一种存储器及其制作方法，所述方法包括：在衬底的凹槽中形成外延层；在所述凹槽中形成覆盖所述外延层的保护层；在所述保护层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构，用于形成所述存储器中存储单元的栅极，所述栅极用于控制所述存储单元的导通或关断；形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的通孔；去除所述保护层并显露所述外延层；在所述通孔中形成所述存储单元的沟道区；其中，所述沟道区，与所述外延层相连，用于供所述存储单元存储与写入数据对应的电荷。

技术领域

本发明实施例涉及集成电路领域，特别涉及一种存储器及其制作方法。

背景技术

在集成电路产业中，通过形成贯穿堆叠结构的通孔，然后在通孔底部形成外延层、在通孔中形成与外延层相连的存储单元的方式制备出存储器，有利于提高存储器的集成度。

随着对存储器存储容量的需求的不断增大，在衬底上形成的堆叠结构的层数不断增大，使得通孔的高度增加，提高了形成高度相同的通孔以及在通孔底部形成外延层的难度，降低了通孔的高度均匀性与外延层的质量，对存储器的性能产生不利影响。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供一种存储器及其制作方法。

本发明实施例第一方面提供一种存储器的制作方法，包括：

在衬底的凹槽中形成外延层；

在所述凹槽中形成覆盖所述外延层的保护层；

在所述保护层上形成堆叠结构；其中，所述堆叠结构，用于形成所述存储器中存储单元的栅极，所述栅极用于控制所述存储单元的导通或关断；

形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的通孔；

去除所述保护层并显露所述外延层；

在所述通孔中形成所述存储单元的沟道区；其中，所述沟道区，与所述外延层相连，用于供所述存储单元存储与写入数据对应的电荷。

可选地，所述方法还包括：

沿所述通孔的径向方向，在所述通孔内形成所述存储单元栅极与沟道区之间的介质层及覆盖所述介质层的牺牲层；

去除与所述保护层接触的部分所述牺牲层及部分所述介质层；

去除所述通孔内剩余的所述牺牲层；

所述去除所述保护层并显露所述外延层，包括：

去除所述通孔内剩余的牺牲层后，去除所述保护层并显露所述外延层。

可选地，所述在所述通孔中形成所述存储单元的沟道区，包括：

去除所述保护层并显露所述外延层后，在所述通孔的径向方向形成覆盖所述介质层的所述沟道区；其中，所述沟道区在所述通孔的轴向方向覆盖所述外延层，并隔离所述外延层与所述介质层。

可选地，所述去除所述通孔内剩余的所述牺牲层，包括：

在第一预设反应条件下，向所述通孔中注入去除剂；其中，所述去除剂与所述牺牲层接触后去除所述牺牲层，所述去除剂与所述牺牲层之间发生反应生产的产物为气态产物或液态产物，所述去除剂与所述保护层之间的化学反应为惰性，所述去除剂与所述介质层之间的化学反应为惰性。

可选地，所述形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的通孔，包括：

在所述堆叠结构表面形成掩膜；

对所述掩膜进行图像化处理，以在所述掩膜的表面形成图案区；

根据所述图案区，形成贯穿所述堆叠结构并显露所述保护层的所述通孔。

可选地，所述去除所述保护层并显露所述外延层，包括：