[发明专利]一种纯CMOS超低功耗上电复位电路

权利要求书

1.一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，包括用于产生偏置电流的第一支路、用于监测电源电压的第二支路和用于对复位信号进行整形的第三支路，其特征在于，所述第一支路包括MOS管M1和由P1个PMOS管依次串联组成的第一串接电路，第一串接电路一端接电源，另一端接MOS管M1的漏极，第一串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第二支路包括MOS管M2和由P2个PMOS管依次串联组成的第二串接电路，第二串接电路一端接电源，另一端接MOS管M2的漏极，第二串接电路中的PMOS管的栅极均接地，第三支路包括迟滞反相器U1和缓冲器U2，MOS管M2的漏极还连接迟滞反相器U1的输入端，迟滞反相器U1的输出端连接缓冲器U2的输入端，缓冲器U2的输出端输出上电复位信号POR。

2.根据权利要求1所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述MOS管M1和MOS管M2均为NMOS管。

3.根据权利要求1所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述PMOS管的阈值电压为V_thp，电源VDD上电时，MOS管M1的电流随电源电压而变大，当VDD＜V_thp时，MOS管M1和P1个PMOS管都处于截止区，此时所有电路均不工作，当VDD＞V_thp时，MOS管M1工作在饱和区，其电流通过以下公式求得：

I_M1＝K_Nm1(V_A-V_thn)²

P1个PMOS管工作在线性区，它的电流和M1的电流相等，计算公式如下：

I_M1＝K_P1(VDD-|V_thp|)(VDD-V_A)

其中I_M1为MOS管M1漏极到源极电流，K_Nm1为MOS管M1的特征参数，V_thn为NMOS管的阈值电压；K_P1为P1个PMOS管的等效特征参数，VDD为电源电压。

4.根据权利要求3所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，当VDD＜V_thp时候，MOS管M2和P2个PMOS管都处于截止区，此时所有电路均不工作，当VDD＞V_thp时，MOS管M2工作区由线性区逐渐过渡到饱和区，从而镜像M1的电流；P2个PMOS管工作在线性区；在线性区时，第二支路虚满足下述公式：

I_M2＝K_Nm2(VA-V_thn)VB

I_M2＝K_P2(VDD-|V_thp|)(VDD-VB)

其中I_M2为MOS管M2漏极到源极电流，K_Nm2为MOS管M2的特征参数，K_P2为P2个PMOS管的等效特征参数。

5.根据权利要求1-4任一所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述PMOS管采用倒比管。

6.根据权利要求1-4任一所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述MOS管M1和MOS管M2均采用倒比管。

7.根据权利要求1所述的一种纯CMOS超低功耗上电复位电路，其特征在于，所述PMOS管、MOS管M1和MOS管M2均采用CMOS工艺实现。