[发明专利]低导热抗侵蚀砖及其生产工艺

权利要求书

1.一种低导热抗侵蚀砖，其特征在于，各原料重量份为：高铝矾土熟料50-70份、碳化硅细粉15-25份、耐火泥10-20份、高铝矾土细粉5-10份、硅溶胶1-5份、糊精1-5份。

2.根据权利要求1所述的低导热抗侵蚀砖，其特征在于，所述高铝矾土熟料中A1₂O₃含量大于70wt％，Fe₂O₃含量小于2wt％，高铝矾土熟料的粒度为1-5mm。

3.根据权利要求2所述的低导热抗侵蚀砖，其特征在于，所述碳化硅细粉粒度为320目-200目。

4.根据权利要求1所述的低导热抗侵蚀砖，其特征在于，所述耐火泥中Al2O3含量大于30wt％，耐火泥的粒度为320目-200目。

5.根据权利要求1所述的低导热抗侵蚀砖，其特征在于，所述高铝矾土细粉中Al₂O₃含量大于80wt％，高铝矾土细粉粒度为320目-200目。

6.根据权利要求1所述的低导热抗侵蚀砖，其特征在于，所述硅溶胶中纳米Al2O3含量大于25wt％。

7.如权利要求1-5所述的低导热抗侵蚀砖的生产工艺，其特征在于，包括以下步骤：

(1)先按比例称量高铝矾土熟料，加入硅溶胶和糊精搅拌3-5分钟，加适量磷酸溶液搅拌2-3分钟，得到预混料A；

(2)然后按比例称量碳化硅、耐火泥和高铝矾土细粉，加入预混料A中搅拌5-6分钟，得到预混料B；

(3)使用630吨压力机将预混料B成型，干燥，得到砖胚；

(4)将耐磨砖胚送入隧道窑中烧制，得到低导热抗侵蚀砖。

8.根据权利要求6所述的低导热抗侵蚀砖的生产工艺，其特征在于，所述步骤(1)中磷酸溶液的质量浓度为42.5-60％，添加磷酸溶液的质量为原料总质量的2-3％。

9.根据权利要求6所述的低导热抗侵蚀砖的生产工艺，其特征在于，所述步骤(3)中干燥温度为140-160℃，干燥时间为5-8h。

10.根据权利要求6所述的低导热抗侵蚀砖的生产工艺，其特征在于，所述步骤(4)中隧道窑温度控制在1400-1450℃。