[发明专利]用于消除CVD和图案化HVM系统的晶片弯曲的方法和设备

权利要求书

1.一种使弯曲基板变平的方法，所述方法包括：

提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠，其中所述基板包括弯曲取向；以及

在所述基板的第二主表面上形成涂层，其中所述涂层被配置为抵消由所述膜堆叠产生的应力并使所述基板从所述弯曲取向变平。

2.如权利要求1所述的方法，其中所述涂层是毯覆式膜。

3.如权利要求1所述的方法，其中所述涂层是预成型膜。

4.如权利要求3所述的方法，其中所述预成型膜是凹形的。

5.如权利要求3所述的方法，其中所述预成型膜是凸形的。

6.如权利要求1所述的方法，其中所述涂层是图案化膜。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述图案化膜包括第一部分和第二部分。

8.如权利要求7所述的方法，其中所述第一部分具有与所述第二部分的组成物、膜厚度和/或膜类型不同的组成物、膜厚度和/或膜类型。

9.如权利要求7所述的方法，其中所述第一部分围绕所述第二部分。

10.一种使弯曲基板变平的方法，所述方法包括：

将基板提供到背面涂覆腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠，其中所述基板包括弯曲取向；以及

在所述基板的第二主表面上形成涂层，其中所述涂层被配置为抵消由所述膜堆叠产生的应力并使所述基板从所述弯曲取向变平。

11.如权利要求10所述的方法，其中所述涂层是毯覆式膜。

12.如权利要求10所述的方法，其中所述涂层是预成型膜。

13.如权利要求12所述的方法，其中所述预成型膜是凹形的。

14.如权利要求12所述的方法，其中所述预成型膜是凸形的。

15.如权利要求10所述的方法，其中所述涂层是图案化膜。

16.如权利要求15所述的方法，其中所述图案化膜包括第一部分和第二部分。

17.如权利要求16所述的方法，其中所述第一部分具有与所述第二部分的组成物、膜厚度和/或膜类型不同的组成物、膜厚度和/或膜类型。

18.一种背面涂覆腔室，包括：

台架，所述台架被配置为以面向下的取向接收基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠；

保持器，所述保持器耦接到所述台架，以用于由所述保持器的边缘来保持所述基板；以及

涂覆设备，所述涂覆设备用于将背面涂层沉积到所述基板的第二主表面上。

19.如权利要求18所述的背面涂覆腔室，其中所述涂覆设备包括化学气相沉积设备、物理气相沉积设备或电感耦接等离子体沉积设备。

20.如权利要求18所述的背面涂覆腔室，进一步包括掩模，所述掩模与所述基板的所述第二主表面相邻地定位。