[发明专利]用于消除CVD和图案化HVM系统的晶片弯曲的方法和设备

说明书

公开了用于消除CVD和图案化HVM系统的晶片弯曲的方法和设备。公开了一种用于在基板上形成背面涂层以抵消来自先前沉积的膜的应力的方法和设备。在一个实施方式中，一种用于使弯曲基板变平的方法包括：提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠，其中所述基板包括弯曲取向；以及在所述基板的第二主表面上形成涂层，其中所述涂层被配置为抵消由所述膜堆叠产生的应力并使所述基板从所述弯曲取向变平。

技术领域

本文公开了用于半导体器件处理的方法和设备。更具体地，本文公开的实施例涉及用于消除沉积和图案化大批量制造(HVM)系统中的基板弯曲或翘曲的方法和设备。

背景技术

诸如3D NAND、3D MRAM等的三维(3D)存储器器件已经以包括竖直沟道结构的各种配置进行开发。在竖直沟道结构中，包括电荷存储结构的存储器单元被设置在布置为字线的导电条带的水平平面与包括用于存储器单元的沟道的竖直有源条带之间的界面区域处。

3D NAND存储器产品路线图被认为可快速地从当前BiCS3 64层扩展到BiCS4 96层、BiCS5 128层、甚至更多层堆叠BiCS6，并且超过(256层至512层)的存储器产品。这种增加的密度带来制造工艺挑战，诸如下面的基板的弯曲或翘曲。

基板的弯曲或翘曲在处理基板以及沉积后续层和/或沉积或图案化硬模膜方面产生挑战。过多的基板弯曲还可能导致电弧放电，这可能损坏工艺套件，因不受控制的寄生局部放电、在基板上方或下方的间隙或间距的变化和/或基板温度变化而导致不良的工艺均匀性。

需要的是一种最小化或控制基板弯曲或翘曲的方法和设备。

发明内容

本公开整体提供一种用于最小化或控制高密度存储器器件制造中的基板弯曲或翘曲的方法和设备。

在一个实施例中，一种用于使弯曲基板变平的方法包括：提供基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠，其中所述基板包括弯曲取向；以及在所述基板的第二主表面上形成涂层，其中所述涂层被配置为抵消由所述膜堆叠产生的应力并使所述基板从所述弯曲取向变平。

在另一个实施例中，一种用于使弯曲基板变平的方法包括：将基板提供到背面涂覆腔室中，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠，其中所述基板包括弯曲取向；以及在所述基板的第二主表面上形成涂层，其中所述涂层被配置为抵消由所述膜堆叠产生的应力并使所述基板从所述弯曲取向变平。

在另一个实施例中，提供了一种背面涂覆腔室，所述背面涂覆腔室包括：台架，所述台架被配置为以面向下的取向接收基板，所述基板具有形成在所述基板的第一主表面上的膜堆叠；保持器，所述保持器耦接到所述台架，以用于由所述保持器的边缘来保持所述基板；以及涂覆设备，所述涂覆设备用于将背面涂层沉积到所述基板的第二主表面上。

附图说明

为了能够详细地理解本公开的上述特征的方式，可以通过参考实施例得到上面简要地概述的本公开的更具体的描述，其中一些实施例在附图中示出。然而，应当注意，附图仅示出了示例性实施例，并且因此不应视为对本公开的范围的限制，因为本公开可以允许其它等同实施例。

图1是如本文所公开的背面处理腔室的一个实施例的示意性截面图。

图2是如本文所公开的背面处理腔室的另一个实施例的示意性截面图。

图3是如本文所公开的背面处理腔室的另一个实施例的示意性截面图。

图4A和图4B是因沉积在基板的第一主表面上的膜堆叠而弯曲的基板的示意性侧视图。

图5A是图4A或图4B中所示的任一基板在背面涂层已经被施加到基板的第二主表面之后的示意性截面图。

图5B是具有形成在基板上的背面涂层的基板的示意性截面图。