[发明专利]包括接触件和与接触件侧壁交界的导电线的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

衬底；

顺序地堆叠在所述衬底上的第一介电层和第二介电层；

接触件，其穿透所述第一介电层并朝向所述衬底延伸，所述接触件包括位于所述第一介电层中的下段和位于所述第二介电层中的上段；以及

导电线，其在所述第二介电层中在第一方向上延伸，并电连接到所述接触件，

其中，所述接触件的上段的侧壁与所述导电线接触。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件的上段的侧壁包括与所述导电线接触的第一部分和与所述第二介电层接触的第二部分。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述导电线完全覆盖所述接触件的上段的侧壁。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件的上段在第二方向上的宽度随着距所述衬底的距离减小而增大。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，当从平面上观看时，所述接触件的上段的顶表面被所述接触件的上段的侧壁围绕。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述接触件的下段在第二方向上的宽度随着距所述衬底的距离减小而减小。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，还包括位于所述第一介电层与所述接触件的下段之间的阻挡层。

8.一种半导体装置，包括：

衬底；

顺序地堆叠在所述衬底上的第一介电层和第二介电层；

接触件，其穿透所述第一介电层并朝向所述衬底延伸；以及

导电线，其设置在所述第二介电层中，并电连接到所述接触件，所述导电线在第一方向上延伸，

其中，所述接触件包括位于所述第一介电层中的下段和位于所述第二介电层中的上段，

其中，所述接触件的上段在第二方向上的宽度随着距所述衬底的距离减小而增大，所述第二方向与所述第一方向相交，并且

其中，所述导电线在所述第二方向上的宽度随着距所述衬底的距离减小而减小。

9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述接触件的上段的侧壁与所述导电线接触。

10.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，所述接触件的上段的侧壁包括与所述导电线接触的第一部分和与所述第二介电层接触的第二部分。

11.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，所述导电线在所述第二方向上的最大宽度大于所述接触件的上段在所述第二方向上的最小宽度。

12.根据权利要求11所述的半导体装置，其中，所述导电线在所述第二方向上的最小宽度小于所述接触件的上段在所述第二方向上的最大宽度。

13.根据权利要求12所述的半导体装置，其中，所述导电线在所述第二方向上的最大宽度大于所述接触件的上段在所述第二方向上的最大宽度。

14.根据权利要求9所述的半导体装置，其中，当从平面上观看时，所述接触件的上段的顶表面被所述接触件的上段的侧壁围绕。

15.一种半导体装置，包括：

衬底；

顺序地堆叠在所述衬底上的第一介电层和第二介电层；

接触件，其穿透所述第一介电层并朝向所述衬底延伸；以及

导电线，其位于所述第二介电层中并电连接到所述接触件，所述导电线在所述第一方向上延伸，

其中，所述接触件包括位于所述第一介电层中的下段和位于所述第二介电层中的上段，

其中，所述导电线包括凹陷部，所述凹陷部位于所述导电线的最下表面中并在远离所述衬底的方向上凹陷，并且

其中，所述接触件的上段与所述凹陷部接触。