[发明专利]包括接触件和与接触件侧壁交界的导电线的半导体装置

说明书

公开了一种半导体装置，包括：衬底；顺序地堆叠在衬底上的第一介电层和第二介电层；接触件，其穿透第一介电层并朝向衬底延伸；以及导电线，其设置在第二介电层中并电连接到接触件。导电线在第一方向上延伸。接触件包括位于第一介电层中的下段和位于第二介电层中的上段。导电线在第二方向上的宽度随着距衬底的距离减小而减小。第二方向与第一方向相交。接触件的上段的侧壁与导电线接触。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月11日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0108392的优先权，该申请的全部内容以引用方式并入本文中。

技术领域

本发明构思涉及半导体装置中的互连结构。

背景技术

半导体装置因为其小尺寸、多功能和/或低制造成本而广泛地应用于电子工业中。半导体装置可以包含用于存储数据的存储器装置、用于处理数据的逻辑装置和用于同时操作各种功能的混合装置。

随着电子工业的先进开发，半导体装置已经越来越多地用于高度集成。由于在限定精细图案的曝光工艺中存在工艺裕度减小的问题，因此，越来越难以制造半导体装置。随着电子工业的先进开发，半导体装置也已经越来越多地用于高速度。已经进行了各种研究以满足半导体装置中的高度集成和/或高速度的需求。

发明内容

根据本发明构思的实施例可以提供一种包括接触件和与接触件侧壁交界的导电线的半导体装置。依据这些实施例，半导体装置可以包括衬底以及顺序地堆叠在衬底上的第一介电层和第二介电层。接触件可以穿透第一介电层并朝向衬底延伸，该接触件可以包括位于第一介电层中的下段和位于第二介电层中的上段。导电线可以在第二介电层中在第一方向上延伸并电连接到接触件。接触件的上段的侧壁与导电线接触。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括衬底以及顺序地堆叠在衬底上的第一介电层和第二介电层。接触件可以穿透第一介电层并朝向衬底延伸。导电线可以设置在第二介电层中并电连接到接触件，其中，导电线在第一方向上延伸，其中，接触件可以包括位于第一介电层中的下段和位于第二介电层中的上段，其中，接触件的上段在第二方向上的宽度随着距衬底的距离减小而增大，第二方向与第一方向相交，其中导电线在第二方向上的宽度随着距衬底的距离减小而减小。

根据本发明构思的一些示例实施例，半导体装置可以包括顺序地堆叠在衬底上的第一介电层和第二介电层以及穿过第一介电层并朝向衬底延伸的接触件。导电线可以位于第二介电层中并电连接到接触件，其中，导电线在第一方向上延伸，其中，接触件包括位于第一介电层中的下段和位于第二介电层中的上段。导电线可以包括凹陷部，所述凹陷部位于导电线的最下表面中并在远离衬底的方向上凹陷，接触件的上段与凹陷部接触。

附图说明

图1A示出了展示根据本发明构思的一些示例实施例的半导体装置的平面图。

图1B示出了沿图1A的线A-A’截取的截面图。

图1C示出了沿图1A的线B-B’截取的截面图。

图1D示出了沿图1A的线C-C’截取的截面图。

图2A、图3A和图4A示出了展示根据本发明构思的一些示例实施例的用于制造半导体装置的方法的平面图。

图2B、图3B和图4B分别示出了沿图2A、图3A和图4A的线A-A’截取的截面图。

图4C示出了沿图4A的线B-B’截取的截面图。

图4D示出了沿图4A的线C-C’截取的截面图。

图5A示出了展示根据本发明构思的一些示例实施例的半导体装置的平面图。

图5B示出了沿图5A的线A-A’截取的截面图。