[发明专利]单片集成射频器件、制备方法以及集成电路系统

权利要求书

1.一种单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述射频器件用于射频前端模块，所述制备方法包括：

S1：在第一基板上生成外延层，所述外延层包括依次叠置的第一缓冲层、第二单晶层以及第三单晶层；

S2：将所述外延层加工为至少一个电子器件，并在所述电子器件远离所述第一基层的一侧形成具有至少一个通孔的钝化层，所述电子器件包括功率放大器、噪声放大器以及开关中的至少一种；

S3：在第二基板上依次形成压电薄膜、金属电极以及布拉格反射层，并形成贯穿所述布拉格反射层的电极互连孔；

S4：将所述布拉格反射层与所述钝化层键合连接，使所述电极互连孔和所述通孔电连接，并去除第二基板，在所述压电薄膜远离所述金属电极的一侧依次形成顶电极以及电极接触点，所述顶电极与所述电极接触点通过所述电极互连孔与所述电子器件连接。

2.如权利要求1所述的单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述通孔的数量为三个，且所述通孔分别与所述电子器件的源极、漏极、栅极连接。

3.如权利要求2所述的单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述电极互连孔的数量为三个，每个电极互连孔贯穿的对象不完全相同，并分别不同所述通孔相对并电连接。

4.如权利要求3所述的单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述顶电极部分覆盖所述压电薄膜远离所述金属电极一侧，通过其中一个所述电极互连孔与所述栅极连接。

5.如权利要求3所述的单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述电极接触点设置于所述压电薄膜远离所述金属电极一侧未设置所述顶电极的区域，包括第一电极接触点、第二电极接触点、第三电极接触点，其中，第一电极接触点、所述第三电极接触点通过所述电极互连孔分别与栅极、漏极连接，所述第二电极接触点与所述顶电极连接。

6.如权利要求1所述的单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述金属电极部分覆盖所述压电薄膜，所述布拉格反射层覆盖所述金属电极以及所述压电薄膜设置金属电极一侧未被所述金属电极覆盖的部分。

7.如权利要求1所述的单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述布拉格反射层包括交替叠置的第一材料层、第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的数量相同均为至少两层，且第一材料层与第二材料层的声阻抗不同。

8.如权利要求1所述的单片集成的射频器件制备方法，其特征在于，所述布拉格反射层远离所述压电薄膜的一侧还设置有第一钝化层，所述第一钝化层设置于所述布拉格反射层的凹陷区域，通过所述第一钝化层平整所述布拉格反射层。

9.一种单片集成的射频器件，其特征在于，所述单片集成通过权利要求1-8任一项所述的单片集成的射频器件制备方法得到。

10.一种集成电路系统，其特征在于，所述集成电路系统包括放大器、双工器、滤波器以及收发开关，所述双工器、滤波器与所述放大器、收发开关耦合连接，所述放大器包括功率放大器、低噪声放大器中的至少一个，所述放大器、双工器、滤波器以及收发开关中的至少两个设置在权利要求9所述的单片集成的射频器件中。