[发明专利]单片集成射频器件、制备方法以及集成电路系统

说明书

本发明提供一种单片集成的射频器件、制备方法以及集成电路系统，制备方法包括：在第一基板上生成外延层；将外延层加工为至少一个电子器件，并在电子器件远离第一基层的一侧形成具有至少一个通孔的钝化层；在第二基板上依次形成压电薄膜、金属电极以及布拉格反射层，并形成贯穿布拉格反射层的电极互连孔；将布拉格反射层与钝化层键合连接，去除第二基板，在压电薄膜上形成顶电极以及电极接触点，顶电极与电极接触点通过电极互连孔与电子器件连接。本发明能够将射频前端模块上不同类型的多个电子器件集成在同一个芯片中，避免了需要额外设计线路的问题，减少了电气连接损失，降低了装配复杂性，减少了射频前端模块的尺寸和成本。

技术领域

本发明涉及电子通讯装置技术领域，尤其涉及一种单片集成的射频器件、制备方法以及集成电路系统。

背景技术

无线通信终端已在全球成功广泛部署。全球每年会生产包括手机和智能手机在内的无线通信终端设备超过10亿台，而且数量还在逐年增加。随着4G/LTE 的应用普及，以及移动数据流量的激增，大数据时代也正在推动无线通信手机市场的增长，预计未来几年将达到每年20亿台。因此，为了应对这个巨大的市场和用户不断提高的要求，无线通讯终端的功能也变得越来越多功能化。

相应的，无线通讯终端的多功能化发展对无线通讯终端的射频前端模块提出了微型化、高频率、高性能、低功耗、低成本等高技术要求。

为了满足这些技术要求，现有的射频前端模块采取的方式是将多个分立的芯片组装在单个层压板或PC板上，但是这种方式具有的缺点是需要额外设计线路以将不同芯片互联在一起，而通过线路连接不同的芯片会导致电气连接损失以及增加装配复杂性、增加了射频前端模块的尺寸和成本。

发明内容

为了克服现有技术的不足，本发明提出一种单片集成的射频器件、制备方法以及集成电路，能够将射频前端模块上不同类型的多个电子器件集成在同一个芯片中，避免了需要额外设计线路的问题，减少了电气连接损失，降低了装配复杂性，减少了射频前端模块的尺寸和成本。

为解决上述问题，本发明采用的一个技术方案为：一种单片集成的射频器件制备方法，所述射频器件用于射频前端模块，所述制备方法包括：S1：在第一基板上生成外延层，所述外延层包括依次叠置的第一缓冲层、第二单晶层以及第三单晶层；S2：将所述外延层加工为至少一个电子器件，并在所述电子器件远离所述第一基层的一侧形成具有至少一个通孔的钝化层，所述电子器件包括功率放大器、噪声放大器以及开关中的至少一种；S3：在第二基板上依次形成压电薄膜、金属电极以及布拉格反射层，并形成贯穿所述布拉格反射层的电极互连孔；S4：将所述布拉格反射层与所述钝化层键合连接，使所述电极互连孔和所述通孔电连接，并去除第二基板，在所述压电薄膜远离所述金属电极的一侧依次形成顶电极以及电极接触点，所述顶电极与所述电极接触点通过所述电极互连孔与所述电子器件连接。

进一步地，所述通孔的数量为三个，且所述通孔分别与所述电子器件的源极、漏极、栅极连接。

进一步地，所述电极互连孔的数量为三个，每个电极互连孔贯穿的对象不完全相同，并分别不同所述通孔相对并电连接。

进一步地，所述顶电极部分覆盖所述压电薄膜远离所述金属电极一侧，通过其中一个所述电极互连孔与所述栅极连接。

进一步地，所述电极接触点设置于所述压电薄膜远离所述金属电极一侧未设置所述顶电极的区域，包括第一电极接触点、第二电极接触点、第三电极接触点，其中，第一电极接触点、所述第三电极接触点通过所述电极互连孔分别与栅极、漏极连接，所述第二电极接触点与所述顶电极连接。

进一步地，所述金属电极部分覆盖所述压电薄膜，所述布拉格反射层覆盖所述金属电极以及所属压电薄膜设置金属电极一侧未被所述金属电极覆盖的部分。

进一步地，所述布拉格反射层包括交替叠置的第一材料层、第二材料层，所述第一材料层与所述第二材料层的数量相同均为至少两层，且第一材料层与第二材料层的声阻抗不同。