[发明专利]一种晶片刻蚀装置有效
申请号: | 201910797351.2 | 申请日: | 2019-08-27 |
公开(公告)号: | CN110600403B | 公开(公告)日: | 2022-02-08 |
发明(设计)人: | 张丝柳;顾立勋;宋冬门 | 申请(专利权)人: | 长江存储科技有限责任公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京派特恩知识产权代理有限公司 11270 | 代理人: | 高洁;张颖玲 |
地址: | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 晶片 刻蚀 装置 | ||
1.一种晶片刻蚀装置,其特征在于,包括第一喷嘴,所述第一喷嘴包括:第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部;其中,
所述第一滑动组件与所述第二滑动组件分别位于所述中间连接部的上下两侧;
所述第一滑动组件的侧壁与所述第二滑动组件的侧壁均能凸出于所述中间连接部的侧壁,以在所述第一滑动组件的下表面、所述中间连接部的所述侧壁和所述第二滑动组件的上表面之间围成一容纳槽,所述容纳槽用于容纳被刻蚀晶片的边缘;
所述第一滑动组件与所述中间连接部的上表面滑动连接,所述第二滑动组件与所述中间连接部的下表面滑动连接,以使所述第一滑动组件和所述第二滑动组件能够分别沿所述晶片的直径方向移动;
所述第一滑动组件上设置有朝向所述容纳槽的第一出液口,所述第二滑动组件上设置有朝向所述容纳槽的第二出液口,所述第一出液口和所述第二出液口用于喷出刻蚀液体。
2.根据权利要求1所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,所述装置还包括:
加压组件,所述加压组件与所述第一滑动组件上的所述第一出液口连接,和/或与所述第二滑动组件上的所述第二出液口连接;所述加压组件用于将所述刻蚀液体加压为雾状后从所述第一出液口和/或所述第二出液口喷出。
3.根据权利要求1所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,所述装置还包括:
第一吸抽组件,所述第一吸抽组件与所述容纳槽连接,用于将所述第一出液口和/或所述第二出液口内容纳的所述刻蚀液体吸抽为雾状后从所述第一出液口和/或所述第二出液口喷出。
4.根据权利要求1所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,所述装置还包括:
驱动组件,所述驱动组件与所述第一滑动组件和/或所述第二滑动组件连接,用于控制所述第一滑动组件和/或所述第二滑动组件移动。
5.根据权利要求1所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,
在所述中间连接部中设置有连通所述容纳槽的回收口,所述回收口用于回收由所述第一出液口和/或所述第二出液口喷出的所述刻蚀液体。
6.根据权利要求5所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,所述回收口为漏斗状的通孔。
7.根据权利要求5所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,所述装置还包括:
第二吸抽组件,所述第二吸抽组件与所述回收口连接,用于通过吸力将所述刻蚀液体回收并排出。
8.根据权利要求1所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,
所述第一出液口设置在所述第一滑动组件上顺着晶片转动方向的远端;
和/或所述第二出液口设置在所述第二滑动组件上顺着晶片转动方向的远端。
9.根据权利要求1所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,所述装置还包括:
第二喷嘴,所述第二喷嘴用于喷出清洗液体。
10.根据权利要求9所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,所述第二喷嘴与所述第一喷嘴的结构相同。
11.根据权利要求1所述的晶片刻蚀装置,其特征在于,在垂直于所述第一滑动组件相对于所述中间连接部的滑动方向的方向上,所述第一喷嘴包括相背的第一侧和第二侧,其中,
所述第一出液口设置在所述第一滑动组件上靠近所述第一侧的位置;
和/或所述第二出液口设置在所述第二滑动组件上靠近所述第一侧的位置。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司,未经长江存储科技有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910797351.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造