[发明专利]一种晶片刻蚀装置

说明书

本申请实施例公开一种晶片刻蚀装置，包括第一喷嘴，第一喷嘴包括：第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部；第一滑动组件与第二滑动组件分别位于中间连接部的上下两侧；第一滑动组件的侧壁与第二滑动组件的侧壁均能凸出于中间连接部的侧壁，以在第一滑动组件的下表面、中间连接部的侧壁和第二滑动组件的上表面之间围成用于容纳被刻蚀晶片的边缘的容纳槽；第一滑动组件与中间连接部的上表面滑动连接，第二滑动组件与中间连接部的下表面滑动连接，使第一滑动组件和第二滑动组件分别沿晶片的直径方向移动；第一滑动组件和第二滑动组件上分别设置有朝向容纳槽的第一出液口和第二出液口，第一出液口和第二出液口用于喷出刻蚀液体。

技术领域

本申请实施例涉及半导体制造领域，特别涉及一种晶片刻蚀装置。

背景技术

在半导体器件的制造过程中，晶片要经受例如光刻、刻蚀、沉积以及清洗等工艺处理，由此来形成半导体器件所需的电子电路。然而，晶片上所沉积的膜层往往具有厚度不均的问题，这种膜层厚度不均的问题在晶边(wafer bevel)附近尤为明显，往往会导致晶边附近的晶片特别厚，这对半导体器件的良率有很大的影响。

现有的各种晶边刻蚀的方法均无法对喷嘴的位置进行灵活的调控，因而无法很好地控制晶边刻蚀的距离，并且在刻蚀过程中，若喷嘴的位置设置不当，还容易造成刻蚀液体飞溅的问题，从而所达到的刻蚀的效果往往并不理想。

发明内容

有鉴于此，本申请实施例为解决现有技术中存在的至少一个问题而提供一种晶片刻蚀装置。

为达到上述目的，本申请实施例的技术方案是这样实现的：

第一方面，本申请实施例提供一种晶片刻蚀装置，包括第一喷嘴，所述第一喷嘴包括：第一滑动组件、第二滑动组件和中间连接部；其中，

所述第一滑动组件与所述第二滑动组件分别位于所述中间连接部的上下两侧；

所述第一滑动组件的侧壁与所述第二滑动组件的侧壁均能凸出于所述中间连接部的侧壁，以在所述第一滑动组件的下表面、所述中间连接部的所述侧壁和所述第二滑动组件的上表面之间围成一容纳槽，所述容纳槽用于容纳被刻蚀晶片的边缘；

所述第一滑动组件与所述中间连接部的上表面滑动连接，所述第二滑动组件与所述中间连接部的下表面滑动连接，以使所述第一滑动组件和所述第二滑动组件能够分别沿所述晶片的直径方向移动；

所述第一滑动组件上设置有朝向所述容纳槽的第一出液口，所述第二滑动组件上设置有朝向所述容纳槽的第二出液口，所述第一出液口和所述第二出液口用于喷出刻蚀液体。

在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：

加压组件，所述加压组件与所述第一滑动组件上的所述第一出液口连接，和/或与所述第二滑动组件上的所述第二出液口连接；所述加压组件用于将所述刻蚀液体加压为雾状后从所述第一出液口和/或所述第二出液口喷出。

在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：

第一吸抽组件，所述第一吸抽组件与所述容纳槽连接，用于将所述第一出液口和/或所述第二出液口内容纳的所述刻蚀液体吸抽为雾状后从所述第一出液口和/或所述第二出液口喷出。

在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：

驱动组件，所述驱动组件与所述第一滑动组件和/或所述第二滑动组件连接，用于控制所述第一滑动组件和/或所述第二滑动组件移动。

在一种可选的实施方式中，在所述中间连接部中设置有连通所述容纳槽的回收口，所述回收口用于回收由所述第一出液口和/或所述第二出液口喷出的所述刻蚀液体。

在一种可选的实施方式中，所述回收口为漏斗状的通孔。

在一种可选的实施方式中，所述装置还包括：