[发明专利]一种微偏振片模板制作方法在审

专利信息
申请号: 201910798261.5 申请日: 2019-08-27
公开(公告)号: CN110568720A 公开(公告)日: 2019-12-13
发明(设计)人: 周倩;倪凯;晁银银;白本锋;汪伟奇;李星辉;王晓浩 申请(专利权)人: 清华大学深圳研究生院
主分类号: G03F7/00 分类号: G03F7/00;G02B5/30
代理公司: 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 代理人: 洪铭福
地址: 518000 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 光刻胶层 微偏振片 掩膜版 基底 制作 电子束直写曝光 底板 沉积金属层 表面设置 表面涂覆 接触曝光 制作周期 全息 光刻 显影 剥离 曝光
【权利要求书】:

1.一种微偏振片模板的制作方法,其特征在于,包括:

S1:在基底一侧的表面上设置第一光刻胶层;

S2:制作掩膜版;

S3:利用所述掩膜版对所述第一光刻胶层进行接触曝光;

S4:在所述第一光刻胶层远离所述基底的一侧的表面上设置第二光刻胶层;

S5:对所述第二光刻胶层进行曝光并显影;

S6:在所述第二光刻胶层远离所述基底一侧表面上沉积金属层;

S7:将所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层剥离,得到所述微偏振片模板。

2.根据权利要求1所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,步骤S1中所述第一光刻胶层为曝光波长为365nm的正性光刻胶。

3.根据权利要求1所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,步骤S2中所述掩膜版的中心为一个透光矩形区域,其边长为a。

4.根据权利要求1所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,步骤S3中所述曝光为利用紫外光刻机将掩膜版图形转移至第一光刻胶层上,且曝光后不显影。

5.根据权利要求1所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,步骤S4中所述第二光刻胶层为曝光波长为436nm的正性光刻胶。

6.根据权利要求1至5任一项所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,步骤S5中所述对所述第二光刻胶层进行曝光并显影为采用蓝光激光光束干涉对所述第二光刻胶层曝光,并将所述第一光刻胶层和第二光刻胶层的曝光区域显影。

7.根据权利要求6所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,若步骤S1和步骤S4中所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层采用相同类型显影液,则在步骤S5中全息光刻时应减小曝光量并增加显影时间;若步骤S1和步骤S4中所述第一光刻胶层及所述第二光刻胶层采用不同类型显影液,则在所述第二光刻胶层显影后更换显影液,以溶解所述第一光刻胶层的曝光区域。

8.根据权利要求1所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,步骤S6所述沉积金属层为采用真空热蒸镀方法,且蒸镀厚度不超过所述第一光刻胶层的厚度。

9.根据权利要求8所述的微偏振片模板的制作方法,其特征在于,步骤S7中将所述第一光刻胶层、所述第二光刻胶层剥离为将蒸镀后的样品放入丙酮中浸泡并在超声机中进行超声处理。

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