[发明专利]一种小粒度非布司他的结晶制备方法

权利要求书

1.一种D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：

第一步：将任意固体形式的非布司他加入丁酮水溶液中，所得溶液的液固比为14～21mL/g；

第二步：第一步所得溶液在60～79℃下连续搅拌溶解，过滤，将滤液转移到结晶器内并在60～79℃下保温；

第三步：将第二步所得溶液降温至40～50℃，降温速度2～10 min/℃，并于降温终点加入非布司他晶种，并恒温养晶1～2 h；

第四步：将第三步所得溶液重新升温至50～65℃，升温速度2～6 min/℃，并于升温终点恒温养晶1～3 h；

第五步：将第四步所得溶液降温至20～30℃，降温速度3～6 min/℃，并于降温终点恒温养晶1～2 h；

第六步：将第五步所得溶液升温至35~45℃，升温速度2～6 min/℃，并于升温终点恒温养晶1～3 h；

第七步：将第六步所得溶液降温至0～10℃，降温速度3～6 min/℃，并于降温终点恒温养晶0～3 h；

第八步：过滤第七步所得，并用洗涤溶剂洗涤滤饼，最后将产品进行干燥，得到D50为2～5 μm且分布为单峰正态分布的非布司他结晶产品。

2.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第一步所述丁酮水溶液为丁酮与水的混合溶剂中，丁酮的质量分数介于85%～99%。

3.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第三步所述的非布司他晶种由非布司他过200目筛获得。

4.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第三步所述的非布司他晶种加入量为非布司他起始投料量的5‰ ～1%。

5.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第八步所述洗涤溶剂选自水、乙醇中的一种或乙醇与水的混合溶剂。

6.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第三步所述降温速度为5～8min/℃。

7.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第四步、第六步所述升温速度为3～5min/℃。

8.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第五步所述降温速度为4～5min/℃。

9.根据权利要求1所述D50介于2～5μm的非布司他的结晶制备方法，其特征在于，第七步将第六步所得溶液降温至4～8℃，降温终点恒温养晶2～3 h。