[发明专利]用于存储器设备的多态编程

说明书

本公开题为“用于存储器设备的多态编程”。描述了存储设备编程方法、系统和介质。方法可以包括对数据进行编码以生成一组编码数据。第一编程操作可以将一组编码数据写入存储器设备。方法包括基于数据使用第二编码操作进行编码以生成第二组编码数据。将第二组编码数据存储到高速缓存。基于第二组编码数据和一组编码数据执行第一解码操作以生成一组解码数据。执行第二解码操作以生成第二组解码数据。对第二组解码数据进行编码以生成第三组编码数据。方法包括执行第二编程操作以将第三组编码数据写入存储器设备。

背景技术

本主题申请整体涉及数据存储系统、设备和方法。更具体地，本主题申请涉及例如但不限于用于将数据写入存储器设备的多态编程。

背景技术部分中提供的描述不应仅因为它在背景技术部分中被提及或与背景技术部分相关联而被认为是现有技术。背景技术部分可以包括描述本主题技术的一个或多个方面的信息，并且该部分中的描述不限制本发明。

附图说明

将参考附图进行详细描述：

图1是示出根据本主题技术的方面的闪存存储系统的部件的框图；

图2A概念性地示出了根据本主题技术的一个或多个具体实施的由闪存存储系统的各个部件提供的模糊/精细编程的示例；

图2B概念性地示出了根据本主题技术的一个或多个具体实施的由闪存存储系统的各个部件提供的模糊/精细编程的第二示例；

图3A和图3B概念性地示出了根据本主题技术的一个或多个具体实施的读取处于模糊状态下的数据(例如，使用模糊编程操作写入闪存存储器的数据)并将其解码的示例；

图4示出了根据一个或多个具体实施的用于执行模糊/精细编程的过程的流程图。

具体实施方式

下面阐述的详细描述旨在作为本主题技术的各种配置的描述，而不旨在表示可实践本主题技术的唯一配置。附图结合到本文中并构成详细描述的一部分。详细描述包括具体细节，其目的是提供对本主题技术的透彻理解。然而，对本领域的技术人员将显而易见的是，可以在没有这些具体细节的情况下实践本主题技术。在一些情况下，熟知的结构和部件以框图的形式示出，以便避免使本主题技术的概念晦涩难懂。为了便于理解，类似的部件标有相同的元件符号。

在一个或多个示例中，用于每单元多位NAND闪存存储器的模糊和精细编程技术可以是指两阶段或多阶段编程技术(例如，“模糊/精细编程”)，其中在第一字线编程操作(例如，模糊编程操作)中NAND单元电压快速地接近期望的电压电平(例如，由存储在每个单元中的位模式确定)，然后在程序步长尺寸小得多的第二编程操作(例如，精细编程操作)中被编程到其最终的电压电平。当在模糊状态下时，存储在给定闪存存储器设备上的数据由于可能使给定纠错码(ECC)解码器不堪重负的非常高的误码率而无法由控制器读取。

在示例中，前述编程阶段中的每个阶段都要求数据从控制器传输到NAND闪存存储器。因此，控制器需要在整个过程中存储该数据。在一些情况下，一个或多个其他字线可以在单个字线上的模糊编程阶段和精细编程阶段之间进行模糊编程。在示例中，控制器中的存储器要求可能很大，尤其对于每单元4位四级单元(QLC)，其中每个字线上存储了4个数据页面。在本文所述的一个或多个具体实施中，本主题技术有利地降低了在模糊/精细编程期间控制器中的数据缓冲要求，这改善了给定计算设备的功能。

在示例中，模糊/精细编程可以产生“最佳”最终结果，即，在精细编程之后的误码率(BER)低于其他编程技术。然而，已经普遍地使用其中字线上的各个页面渐进地编程的其他技术。中间编程步骤是可读的，并且用作待存储在字线上的页面的子集的缓冲器。在可在单遍编程(例如，全序列编程)中实现目标BER的一些情况下，可能不需要模糊/精细编程，就像现有一代位成本可扩展(BiCS)三级单元闪存(TLC)那样。