[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在所述基底上形成多个分立的侧墙，包括掩膜侧墙和伪掩膜侧墙；

在所述基底上形成覆盖所述侧墙侧壁和顶部的保护层；

形成所述保护层后，在所述基底上形成掩膜层，所述掩膜层具有开口，所述开口露出所述伪掩膜侧墙顶部的保护层；

去除所述开口露出的伪掩膜侧墙顶部的保护层；

以所述掩膜层和所述保护层为掩膜，去除所述伪掩膜侧墙；

去除所述掩膜层和所述保护层；

以所述掩膜侧墙为掩膜，图形化所述基底。

2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的步骤中，所述保护层的厚度为5埃米至30埃米。

3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述保护层的材料包括氧化硅、氮氧化硅、碳氧化硅或硅。

4.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，去除所述伪掩膜侧墙的步骤中，所述伪掩膜侧墙和所述保护层的刻蚀选择比大于50:1。

5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用各向同性刻蚀工艺去除所述伪掩膜侧墙。

6.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用远程等离子体刻蚀工艺去除所述伪掩膜侧墙。

7.如权利要求6所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述远程等离子体刻蚀工艺的参数包括：主刻蚀气体包括NF₃和CF₄中的一种或两种，辅助刻蚀气体包括O₂、Ar、N₂、H₂、Cl₂和HBr中的一种或多种，刻蚀气体的总气体流量为500SCCM至1500SCCM，射频功率为100瓦至750瓦，工艺压强为3毫托至100毫托。

8.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述侧墙之前，所述形成方法还包括：在所述基底上形成硬掩膜材料层；

图形化所述基底的步骤包括：以所述掩膜侧墙为掩膜，刻蚀所述硬掩膜材料层，形成硬掩膜层；以所述硬掩膜层为掩膜，刻蚀所述基底；

形成所述保护层的步骤中，所述保护层的材料与所述硬掩膜材料层的材料相同。

9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在以所述掩膜侧墙为掩膜刻蚀所述硬掩膜材料层的步骤中，去除所述保护层。

10.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用湿法刻蚀工艺去除所述保护层，所述湿法刻蚀工艺的刻蚀溶液为氢氟酸溶液。

11.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用等离子体刻蚀工艺去除所述保护层，所述等离子体刻蚀工艺的刻蚀气体包括C₄F₆。

12.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用干法刻蚀工艺去除所述开口露出的伪掩膜侧墙顶部的所述保护层。

13.如权利要求12所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述干法刻蚀工艺的刻蚀气体包括CF₄。

14.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成所述保护层的工艺包括氧化工艺或原子层沉积工艺。

15.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，图形化所述基底后，剩余所述基底用于作为衬底，形成鳍部。