[发明专利]具有降低的过孔电阻的存储器结构

权利要求书

1.一种存储器结构，包括：

存储器单元；

过孔；

将所述存储器单元与所述过孔隔开的电介质材料；

处于所述存储器单元和所述电介质材料上的金属陶瓷复合材料层；以及

处于所述金属陶瓷复合材料层和所述过孔上的导电层，其中，所述导电层与所述过孔的上表面直接接触。

2.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述存储器单元是相变存储器(PCM)单元。

3.根据权利要求2所述的存储器结构，其中，所述PCM单元包括相变存储器材料、选择器件层和电极层。

4.根据权利要求3所述的存储器结构，其中，所述电极层处于所述相变存储器材料和所述金属陶瓷复合材料层之间、处于所述相变材料和所述选择器件层之间、处于所述选择器件层和第二金属陶瓷复合材料层之间、或者它们的组合。

5.根据权利要求3所述的存储器结构，其中，所述第二金属陶瓷复合材料层处于第二导电层上。

6.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述过孔被定向为大体上平行于所述存储器单元。

7.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述过孔包括与所述导电层截然不同的材料。

8.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括被设置为与所述存储器单元直接接触的第二电介质材料。

9.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述金属陶瓷复合材料层具有从1nm到50nm的厚度。

10.根据权利要求1所述的存储器结构，其中，所述金属陶瓷复合材料层与所述导电层直接接触。

11.根据权利要求10所述的存储器结构，其中，所述过孔在所述金属陶瓷复合材料层的上表面之外向所述导电层中延伸不大于100nm的距离。

12.根据权利要求1所述的存储器结构，还包括设置在所述金属陶瓷复合材料层和所述导电层之间的阻挡层。

13.根据权利要求12所述的存储器结构，其中，所述阻挡层具有从5nm到100nm的厚度。

14.根据权利要求12所述的存储器结构，其中，所述阻挡层的上表面与所述过孔的上表面成平面。

15.一种制造存储器器件的方法，包括：

形成布置成列和行的存储器单元的阵列；

将电介质材料定位为将各个存储器单元彼此隔开；

在所述电介质材料内形成多个过孔，其中，各个过孔与存储器单元的各个行对准；

在所述存储器单元的单独的行和对应电介质材料上形成各个金属陶瓷复合材料层；以及

在各个金属陶瓷复合材料层上形成与对应过孔的各个上表面直接接触的各个导电层。

16.根据权利要求15所述的方法，其中，形成所述存储器单元的阵列包括形成相变存储器(PCM)单元的阵列。

17.根据权利要求16所述的方法，其中，形成各个PCM单元包括形成相变材料、选择器件层和电极层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述电极层形成于所述相变材料和所述金属陶瓷复合材料层之间、形成于所述相变材料和所述选择器件层之间、形成于所述选择器件层和第二金属陶瓷复合材料层之间、或者它们的组合。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述第二金属陶瓷复合材料层形成在第二导电层上。