[发明专利]具有降低的过孔电阻的存储器结构

说明书

本发明公开了一种存储器结构，其可以包括存储器单元、过孔、将所述存储器单元与所述过孔隔开的电介质材料、处于所述存储器单元和所述电介质材料上的金属陶瓷复合材料层、以及处于所述金属陶瓷复合材料层和所述过孔上的导电层。所述导电层可以与所述过孔的顶表面直接接触。

背景技术

相变材料所具有的特性使它们用于很多应用中，例如，用于双向阈值开关和相变存储器(PCM)中。相变材料的不同物理状态具有不同的电阻水平。例如，一个状态(例如，无定形状态)可以具有高电阻，而另一状态(例如，晶体状态)可以具有低电阻。在PCM中，这些不同的电阻水平可以用于存储二元信息。每个状态表示不同的二元值，并且信息一旦被存储，就可以通过检测材料的电阻来读取信息。每个状态一旦被固定就保持下去的事实使得PCM成为有价值的非易失性存储器(NVM)类型。

附图说明

图1A示出了根据示例性实施例的存储器结构。

图1B示出了根据示例性实施例的存储器结构。

图2A示出了根据示例性实施例的存储器器件。

图2B示出了根据示例性实施例的存储器器件。

图2C示出了根据示例性实施例的存储器器件。

图2D示出了根据示例性实施例的存储器器件。

图3示出了根据示例性实施例的计算系统；

图4A示出了根据示例性实施例的在一个制造阶段处的存储器器件的顶视图。

图4B示出了图4A的存储器器件沿A-A线的截面图。

图4C示出了图4A的存储器器件沿B-B线的截面图。

图4D示出了根据示例性实施例的在一个制造阶段处的存储器器件的顶视图。

图4E示出了图4D的存储器器件的沿A-A线的截面图。

图4F示出了图4D的存储器器件的沿B-B线的截面图。

图4G示出了根据示例性实施例的在一个制造阶段处的存储器器件的顶视图。

图4H示出了图4G的存储器器件的沿A-A线的截面图。

图4I示出了图4G的存储器器件的沿B-B线的截面图。

图5A示出了根据示例性实施例的在一个制造阶段处的存储器器件的顶视图。

图5B示出了图5A的存储器器件沿A-A线的截面图。

图5C示出了图5A的存储器器件沿B-B线的截面图。

图6A示出了根据示例性实施例的在一个制造阶段处的存储器器件的顶视图。

图6B示出了图6A的存储器器件沿A-A线的截面图。

图6C示出了图6A的存储器器件沿B-B线的截面图。

图6D示出了根据示例性实施例的在一个制造阶段处的存储器器件的顶视图。

图6E示出了图6D的存储器器件的沿A-A线的截面图。

图6F示出了图6D的存储器器件的沿B-B线的截面图。

具体实施方式

尽管下文的详细描述包含很多具体细节以用于例示目的，但是本领域普通技术人员将认识到可以对下面的细节做出很多变化和更改，并且认为这些变化和更改仍然包括在本文中。相应地，阐述了以下实施例而没有损失任何权利要求阐述的内容的一般性，并且也没有对任何权利要求阐述的内容施加限制。还应当理解，本文中使用的术语仅用于描述特定实施例的目的而非旨在进行限制。文中使用的所有科技术语与本公开所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同，除非另行定义。