[发明专利]半导体装置的形成方法

权利要求书

1.一种半导体装置的形成方法，包括：

图案化一三层光阻层，其中该三层光阻层包括一底层、位于该底层上的一中层、与位于该中层上的一上层；

使用该上层作为一遮罩层，该遮罩层包括一有机材料；

将一部分的该遮罩层转化为包括碳金属氧化物的一无机材料；以及

利用该遮罩层蚀刻一第一层，

其中，转化部分的该遮罩层包括：通过一热原子层沉积制程沉积一金属氧化物到该遮罩层中，以使该遮罩层中分子断键和再键结。

2.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在转化部分的该遮罩层之前，执行一去残胶制程，该去残胶制程去除该遮罩层的侧壁部分的材料并且去除该第一层所露出部分的材料。

3.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在转化部分的该遮罩层之前，执行一修边制程，该修边制程去除该遮罩层的侧壁表面以及上表面的材料。

4.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中，转化部分的该遮罩层包括：改变该遮罩层以转化该遮罩层为一碳金属氧化物材料。

5.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中，转化部分的该遮罩层包括：形成一金属氧化物壳在该遮罩层上。

6.如权利要求5所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在该金属氧化物壳和该遮罩层的接口形成一碳金属氧化物的一均匀交联。

7.如权利要求1所述的半导体装置的形成方法，其中，转化部分的该遮罩层包括：形成一碳金属氧化物壳在该遮罩层的表面。

8.一种半导体装置的形成方法，包括：

形成一三层光阻层在一目标层上，其中该三层光阻层包括一底层、位于该底层上的一中层、与位于该中层上的一上层；

图案化该三层光阻层；

使用该上层作为一遮罩，该遮罩包含一有机材料；

通过一热原子层沉积制程沉积一金属氧化物到该遮罩中，以使该遮罩中分子断键和再键结，其中该热原子层沉积制程包括：

施加一含金属的第一前驱物在该遮罩上；以及

施加一含氧的第二前驱物在该遮罩上，其中在施加了该第一前驱物和该第二前驱物之后，该遮罩包括包括碳金属氧化物的一无机材料。

9.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中，该第一前驱物包括：

三甲基铝、二乙基锌、四(二甲胺基)钛、异丙醇钛、四氯化钛、双(第三丁基胺基)硅烷、双(二乙基胺基)硅烷、三(二甲基胺基)硅烷、四(二甲胺基)锆、四氯化锆、或四(二甲胺基)锡。

10.如权利要求9所述的半导体装置的形成方法，其中，该第二前驱物包括水、氧气、臭氧、或过氧化氢。

11.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在施加该第一前驱物之前，对该遮罩执行一去残胶制程。

12.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在施加该第一前驱物之前，对该遮罩执行一修边制程。

13.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，还包括：

形成一金属氧化物壳在该遮罩的表面上。

14.如权利要求13所述的半导体装置的形成方法，还包括：

在该金属氧化物壳和该遮罩的一有机部分之间形成一交联。

15.如权利要求8所述的半导体装置的形成方法，其中在施加该第一前驱物和该第二前驱物之后，该遮罩的表面包括一碳金属氧化物。