[发明专利]半导体装置的形成方法

说明书

本发明涉及一种半导体装置的形成方法。本发明实施例提供一种图案化制程。对光阻层进行图案化。通过金属氧化物的沉积制程，将至少部分的光阻层从有机材料转化为无机材料。全部或一些的图案化的光阻层可被转化成碳‑金属‑氧化物。可于图案化的光阻层上形成金属氧化物壳。在转化之后，图案化的光阻层作为蚀刻下层的蚀刻遮罩。

技术领域

本发明实施例涉及一种半导体装置的形成方法，且特别关于一种图案化制程。

背景技术

随着半导体装置持续地微缩化，各种制程技术(例如微影)也随之改良用以制造尺寸越来越小的装置。举例来说，随着栅极密度的增加，在装置上各种部件的制程(如上方的内连线部件)也须跟着改良以与整体装置部件的微缩化相容。然而，随着半导体制程的制程宽裕度变小，这些装置的制造已经接近甚至超越微影设备的理论限制。随着半导体装置继续缩小，装置中元件间的间距(例如节距)，比使用传统光学遮罩以及微影设备所能制造的节距还要小。

发明内容

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，其包括图案化光阻层以形成遮罩层，遮罩层包括有机材料；将一部分的遮罩层转化为无机材料；以及利用遮罩层蚀刻第一层。

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，其包括形成光阻层在目标层上；图案化光阻层以形成一遮罩，遮罩包含有机材料；施加含金属的第一前驱物在遮罩上；以及施加含氧的第二前驱物在遮罩上，其中在施加了第一前驱物和第二前驱物之后，遮罩包括无机材料。

本发明实施例提供一种半导体装置的形成方法，其包括形成图案化后的蚀刻遮罩在目标层上方；将一部分的蚀刻遮罩转化为无机材料；蚀刻目标层，于蚀刻蚀刻遮罩和目标层之间的一或多个膜层时，利用无机材料以保护蚀刻遮罩；以及形成多个导电部件于目标层中。

附图说明

以下将配合附图详述本公开的各面向。应注意的是，依据在业界的标准做法，各种特征并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，可能任意地放大或缩小元件的尺寸，以清楚地表现出本公开的特征。

图1是根据一些实施例示出制造半导体装置的中间阶段的剖面示意图。

图2A-2C、图3A-3C、图4A-4C是根据一些实施例示出制造半导体装置的中间阶段的剖面示意图。

图5、图6A-6C、图7A-7C、图8A-8C是根据其他实施例示出制造半导体装置的各种中间阶段的剖面示意图。

图9、图10A-10C、图11A-11C、图12A-12C是根据其他实施例示出制造半导体装置的各种中间阶段的剖面示意图。

图13、图14、图15、图16是根据一些实施例示出制造半导体装置的各种中间阶段的剖面示意图。

图17是根据一些实施例示出制造半导体装置的中间阶段的俯视图。

其中，附图标记说明如下：

100～半导体装置；

102～目标层；

104～半导体基板；

106～抗反射层；

108～硬罩幕层/硬罩幕；

110～介电层；

114～底层；

116～中层；

118～上层/遮罩；

120～三层光阻；

122/122’/124/124’/126/126’/134/140～开口；

128～去残胶制程；

130～修整制程；