[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201910803261.X | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN110872701B | 公开(公告)日: | 2022-04-08 |
发明(设计)人: | 白子贤治;谷山智志 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44;C23C16/455;C23C16/54 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金成哲;郑毅 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 处理 装置 半导体 制造 方法 | ||
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:
第一处理模块,其具有对纵向配置的多个基板进行处理的第一处理容器;
第二处理模块,其具有与所述第一处理容器相邻地配置并对纵向配置的多个基板进行处理的第二处理容器;
第一排气箱,其收纳有对所述第一处理容器内进行排气的第一排气系统;
第二排气箱,其收纳有对所述第二处理容器内进行排气的第二排气系统;
通用供给箱,其控制向所述第一处理容器及第二处理容器内供给的多种处理气体的流路和流量的至少一方;
第一阀组,其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第一处理容器连接;
第二阀组,其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第二处理容器连接,
第一处理控制器,其对所述第一处理模块、所述第一排气箱及所述第一阀组进行控制;以及
第二处理控制器,其对所述第二处理模块、所述第二排气箱及所述第二阀组进行控制,
为了在所述第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜,而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理,
所述第一处理控制器及第二处理控制器将实质地表示各自控制的所述第一阀组及所述第二阀组的流通状态的信息传递给另一个处理控制器,除了禁止所述第一阀组及所述第二阀组的相同气体的阀的同时供给的期间之外,非同步地运用所述第一处理模块及所述第二处理模块,
通过以所述多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式,使后开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定所错开的时间。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
以所述第一处理模块及第二处理模块相邻的面为基准,所述第一处理模块及第二处理模块、所述第一排气箱及第二排气箱、所述第一阀组及第二阀组分别构成且配置为彼此呈面对称,
所述第一阀组和所述第一处理模块之间的多个气体分配管的长度,与所述第二阀组和所述第二处理模块之间的对应的气体分配管的长度相等。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多种处理气体包括三种原料气体,
所述气体供给序列针对一个处理容器将所述三种原料气体空开时间的间隔周期性地供给,
在所述第一处理模块及第二处理模块中并行地进行处理的期间,存在所述三种原料气体各自都不向所述第一处理容器和第二处理容器进行供给的定时。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述多种处理气体包括三种原料气体,所述气体供给序列针对一个处理容器将所述三种原料气体空开时间的间隔周期性地供给,所述气体供给序列至少在所述时间的间隔之间利用第一排气系统或第二排气系统进行排气。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
在所述时间的间隔之间进行的排气包含:利用第一排气系统或第二排气系统进行排气的排气工序;以及在排气工序之后边流通清扫气体边利用第一排气系统或第二排气系统进行排气的清扫工序。
6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
所错开的时间是在所述气体供给序列中与所述三种原料气体中的供给时间最长的原料气体的供给时间相同的时间。
7.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
基于所述三种原料气体所含的第一气体和第二气体的排气定时在第一处理模块和第二处理模块之间不重叠的规则来进一步限制所错开的时间。
8.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,
基于所述三种原料气体所含的第一气体的清扫工序的结束与第二气体的排气工序在第一处理模块和第二处理模块之间不重叠的规则来进一步限制所错开的时间。
9.一种半导体装置的制造方法,其特征在于,包含以下工序:
向基板处理装置的第一处理容器及第二处理容器分别搬入纵向配置的多个基板的工序,其中,所述基板处理装置具备:第一处理模块,其具有对纵向配置的多个基板进行处理的第一处理容器;第二处理模块,其具有与所述第一处理容器相邻地配置并对纵向配置的多个基板进行处理的第二处理容器;第一排气箱,其收纳有对所述第一处理容器内进行排气的第一排气系统;第二排气箱,其收纳有对所述第二处理容器内进行排气的第二排气系统;通用供给箱,其控制向所述第一处理容器及第二处理容器内供给的多种处理气体的流路和流量的至少一方;第一阀组,其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第一处理容器连接;以及第二阀组,其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第二处理容器连接;以及
为了在所述第一处理模块及所述第二处理模块中生成相同的膜,第一处理控制器对所述第一处理模块、所述第一排气系统及所述第一阀组进行控制,第二处理控制器对所述第二处理模块、所述第二排气系统及所述第二阀组进行控制,而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理的工序,
在所述并行地进行的工序中,所述第一处理控制器及所述第二处理控制器将实质地表示各自控制的所述第一阀组及所述第二阀组的流通状态的信息传递给另一个处理控制器,除了禁止所述第一阀组及所述第二阀组的相同气体的阀的同时供给的期间之外,非同步地运用所述第一处理模块及所述第二处理模块,
通过以所述多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式,使后开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定所错开的时间。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社国际电气,未经株式会社国际电气许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910803261.X/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:数值控制装置
- 下一篇:用于分配液体的系统与从液体分配系统消除气泡的方法
- 同类专利
- 专利分类
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的