[发明专利]基板处理装置及半导体装置的制造方法

说明书

本发明提供基板处理装置及半导体装置的制造方法，在第一和第二处理模块中生成相同的膜的情况下能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。该基板处理装置具备：第一处理模块；第二处理模块；第一排气箱；第二排气箱；通用供给箱；第一阀组；以及第二阀组，为了在第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜，而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理，关于所错开的时间，通过以多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式，使后开始处理的第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。

技术领域

本公开涉及一种基板处理装置及半导体装置的制造方法。

背景技术

基板处理装置具备处理模块，该处理模块具有对配置于纵向的多个基板进行处理的处理炉。在这种基板处理装置中，提出有一种具备多个处理模块的基板处理装置(日本特开2016－9724号公报、美国专利第6902624号说明书)。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2016－9724号公报

专利文献2：美国专利第6902624号说明书

发明内容

发明所要解决的课题

在具备第一处理模块和第二处理模块的基板处理装置中，在利用各个处理模块在基板上形成相同的膜的情况下，在多个处理模块之间所生成的膜的品质有可能不同。

本公开的课题是提供如下的一种技术，即在第一和第二处理模块中生成相同的膜的情况下，能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。

其它的课题和新特征可以通过本说明书的记载和附图而明了。

用于解决课题的方案

下面简单地对本公开的代表性的概要进行说明。

根据一方案，可提供一种技术，其具备：

第一处理模块，其具有对纵向配置的多个基板进行处理的第一处理容器；

第二处理模块，其具有与所述第一处理容器相邻地配置并对纵向配置的多个基板进行处理的第二处理容器；

第一排气箱，其收纳有对所述第一处理容器内进行排气的第一排气系统；

第二排气箱，其收纳有对所述第二处理容器内进行排气的第二排气系统；

通用供给箱，其控制向所述第一处理容器及第二处理容器内供给的多种处理气体的流路和流量的至少一方；

第一阀组，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第一处理容器连接；以及

第二阀组，其以能够控制连通状态的方式将来自所述通用供给箱的气体管与所述第二处理容器连接，

为了在所述第一处理模块及第二处理模块中生成相同的膜，而错开时间并行地进行重复实质上相同的气体供给序列的处理，

关于所错开的时间，通过以所述多种处理气体中的特定的气体的供给定时不与先开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的一方的气体供给序列重叠的方式，使后开始处理的所述第一处理模块及第二处理模块的另一方的气体供给序列延迟的方法来决定。

发明的效果

根据本公开，能够在第一和第二处理模块之间使所生成的膜的品质相同。

附图说明

图1是概略地表示适用于实施方式的基板处理装置的一例的俯视图。