[发明专利]发光二极管外延生长反应腔的恢复方法及其外延生长方法有效
| 申请号： | 201910803412.1 | 申请日： | 2019-08-28 |
| 公开（公告）号： | CN110739372B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 从颖;姚振;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 羊淑梅 |
| 地址： | 215600 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 反应 恢复 方法 及其 | ||
1.一种发光二极管外延生长反应腔的恢复方法，其特征在于，所述恢复方法包括：
提供反应腔，所述反应腔内用于外延生长发光二极管外延片；
对所述反应腔进行烘烤；
向所述反应腔内通入Ga源和NH3，在所述反应腔的内壁上形成第一化合物涂层；
持续向所述反应腔内通入Ga源和NH3，同时向所述反应腔内通入Al源，在所述第一化合物涂层上形成第二化合物涂层；
持续向所述反应腔内通入Ga源和NH3，停止向所述反应腔内通入Al源，同时向所述反应腔内通入石墨烯，所述石墨烯催化所述反应腔内的Al源掺入所述第二化合物涂层中；
持续向所述反应腔内通入Ga源和NH3，停止向所述反应腔内通入石墨烯，同时向所述反应腔内通入Mg源，在所述第二化合物涂层上形成第三化合物涂层；
持续向所述反应腔内通入Ga源和NH3，停止向所述反应腔内通入Mg源，同时向所述反应腔内通入石墨烯，所述石墨烯催化所述反应腔内的Mg源插入所述第三化合物涂层中；
停止向所述反应腔内通入Ga源、NH3和石墨烯，完成所述反应腔的恢复。
2.根据权利要求1所述的恢复方法，其特征在于，向所述反应腔内通入石墨烯的流量为10sccm～100sccm。
3.根据权利要求2所述的恢复方法，其特征在于，每次向所述反应腔内通入石墨烯的持续时间为10min～30min。
4.根据权利要求1～3任一项所述的恢复方法，其特征在于，向所述反应腔内通入Al源的流量逐渐增大。
5.根据权利要求4所述的恢复方法，其特征在于，向所述反应腔内通入Al源的流量为50sccm～300sccm，向所述反应腔内通入Al源的持续时间为60min～150min。
6.根据权利要求1～3任一项所述的恢复方法，其特征在于，向所述反应腔内通入Mg源的流量逐渐增大。
7.根据权利要求6所述的恢复方法，其特征在于，向所述反应腔内通入Mg源的流量为500sccm～2000sccm，向所述反应腔内通入Mg源的持续时间为100min～200min。
8.根据权利要求1～3任一项所述的恢复方法，其特征在于，所述恢复方法还包括：
在向所述反应腔内通入Ga源和NH3的同时，向所述反应腔内通入载气。
9.一种发光二极管的外延生长方法，其特征在于，所述外延生长方法包括：
采用如权利要求1～8任一项所述的恢复方法完成反应腔的恢复；
在所述反应腔内放入衬底；
在所述衬底上外延生长，形成外延片。
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