[发明专利]一种半导体碲空心球的制备方法及其应用在审
申请号: | 201910804199.6 | 申请日: | 2019-08-28 |
公开(公告)号: | CN112441569A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 王杰;徐少晨;韩勇 | 申请(专利权)人: | 王杰 |
主分类号: | C01B19/02 | 分类号: | C01B19/02;C01B19/04 |
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地址: | 236800 安徽省亳州市谯城区*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 空心球 制备 方法 及其 应用 | ||
1.一种半导体碲空心球的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1、制备出聚膦腈微球;
S2、配制碲源溶液:称取适量的亚碲酸钠,将其溶解在含有表面活性剂的溶剂中,然后分别加入适量的水合肼和氨水,搅拌均匀;
S3、将S1中的聚膦腈微球作为模板剂,加入到S2中的碲源溶液中;
S4、将S3中的反应溶液,转移到反应釜中,保持反应釜的体积填充量小于50%,进行水热反应,反应结束后,取出反应釜进行产物分离洗涤;
S5、将S4中的产物在超声条件下分散在丙酮溶液中,以溶解除去聚膦腈微球,从而得到目标产物。
2.根据权利要求1所述的一种半导体碲空心球的制备方法,其特征在于,所述的表面活性剂是聚乙烯吡咯烷酮,PVP-K30。
3.根据权利要求1所述的一种半导体碲空心球的制备方法,其特征在于,所述的水合肼和氨水的体积为1:1-2。
4.根据权利要求1所述的一种半导体碲空心球的制备方法,其特征在于,所述的反应釜的填充量在40-50%之间。
5.根据权利要求1所述的一种半导体碲空心球的制备方法,其特征在于,所述的水热条件是在160-170℃下反应5-8h。
6.根据权利要求1-5任一项方法所制备的碲空心球。
7.根据权利要求6所述的碲空心球,其可作为牺牲模板用于碲化物空心球的制备。
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