[发明专利]一种半导体碲空心球的制备方法及其应用

说明书

一种半导体碲空心球的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、制备出聚膦腈微球；S2、配制碲源溶液：称取适量的亚碲酸钠，将其溶解在含有表面活性剂的溶剂中，然后分别加入适量的水合肼和氨水，搅拌均匀；S3、将S1中的聚膦腈微球作为模板剂，加入到S2中的碲源溶液中；S4、将S3中的反应溶液，转移到反应釜中，保持反应釜的体积填充量小于50%，进行水热反应，反应结束后，取出反应釜进行产物分离洗涤；S5、将S4中的产物在超声条件下分散在丙酮溶液中，以溶解除去聚膦腈微球，从而得到目标产物。

技术领域

本发明涉及半导体晶体的制备领域，具体涉及一种碲空心球的制备方法及其应用。

背景技术

碲是一种应用广泛的p型半导体，其禁带宽度为0.35电子伏特，其是一种类金属半导体。其有两种同素异形体，包括无定形碲和结晶形，其中无定形碲呈褐色，而结晶形碲呈银白色，结晶碲具有六方相晶体结构，空间群为P3₁21，晶胞参数为a=b=0.04572nm、c=0.5929nm，在碲的晶体结构中存在与ｚ轴平行的三重螺旋链，每一个螺旋周期包含3个Te原子。正是由于这种螺旋结构，使得其具有很好的一维合成可控性，如现在合成较多的一维碲纳米线、碲纳米棒或碲纳米管。也正是由于这种螺旋结构，使得对于碲纳米材料而言，较难以直接合成其他的非一维纳米材料。由于碲纳米材料被广泛应用在金属冶炼、石油化工、红外探测、光导领域以及非线性光学等领域中，这使得其自身或以其为牺牲模板制备如CdTe、Ag2Te、PbTe和HgTe等材料的应用受到很大的限制。为此，本发明的目的在于克服上述问题，提供一种碲纳米材料的新形貌的新的制备方法，即提供一种碲空心球的制备方法。

可参考以下的现有技术文献：

1、QianHai-Sheng et al，High-quality Luminescent Tellurium Nanowires OfSeveral

Nanometers In Diameter And High Aspect Ratio Synthesized By A poly(vinylpyrrolidone)-assisted hydrothermal process.Langmuir,2006,22:3830-3835.

2、Liu J W et al，mesostructured assemblies of ultrathin superlongtellurium nanowires and their photoconductivity,2012,JACS,8945-8952.

3、Genqiang Zhang et al，Design principle of telluride-based nanowireheterostructures for potential thermoelectric applications,Nano Letter,2012,3627-3633.

4、Ujjal K. Gautam et al，Controlled synthesis of crystalline telluriumnanorods, nanowires, nanobelts and related structures by a self-seedingsolution process，J. Mater. Chem., 2004, 14, 2530-2535.

5、Ying Jie Zhu et al，Microwave-Assisted Synthesis of Single-CrystallineTellurium Nanorods and Nanowires in Ionic Liquids，Angew. Chem. Int. Ed. 2004,43, 1410 –1414。

发明内容

本发明的目的在于通过模板剂的方法提供一种碲晶体空心球的制备方法，该碲空心球具有粒径大小可调，反应简单，成本低廉的特点。

为了使本领域技术人员更好的了解本发明的发明内容，现对本发明的发明内容进行如下详细说明。