[发明专利]半导体封装件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：

第一再分布层；

第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述第一再分布层上；

模制层，所述模制层位于所述第一再分布层上并且覆盖所述第一半导体芯片；

多个金属柱，所述多个金属柱围绕所述第一半导体芯片并连接到所述第一再分布层，所述多个金属柱竖直地延伸穿过所述模制层；

第二再分布层，所述第二再分布层位于所述模制层上并连接到所述多个金属柱；以及

第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第二再分布层上；

其中，当在俯视图中观察时，所述第二半导体芯片与所述第一半导体芯片和所述多个金属柱交叠。

2.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，

所述第二再分布层包括多个连接焊盘；并且

所述第二半导体芯片包括耦接到所述多个连接焊盘的多个芯片焊盘。

3.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片包括层间电介质和位于所述层间电介质中的多个芯片焊盘，所述层间电介质和所述多个芯片焊盘面向所述第二再分布层。

4.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第二半导体芯片的侧表面与所述模制层的侧表面共面。

5.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，每个所述金属柱的长度大于所述第一半导体芯片的厚度。

6.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片在所述第一半导体芯片的底表面处包括多个芯片焊盘，所述第一再分布层具有多个内部第一再分布图案，并且所述多个芯片焊盘通过所述多个内部第一再分布图案中的选定的内部第一再分布图案连接到所述多个金属柱。

7.根据权利要求1所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片在所述第一半导体芯片的顶表面处包括多个芯片焊盘，所述第二再分布层具有多个内部第二再分布图案，并且所述多个芯片焊盘通过所述多个内部第二再分布图案中的选定的内部第二再分布图案连接到所述多个金属柱。

8.根据权利要求7所述的半导体封装件，其中，所述第一半导体芯片具有芯片主体，并且所述多个芯片焊盘彼此间隔开地设置在所述芯片主体的顶表面上以在它们之间限定间隙，并且所述模制层填充所述多个芯片焊盘之间的间隙。

9.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第三半导体芯片，所述第三半导体芯片位于所述第一再分布层的与其上设置所述第一半导体芯片的一侧相对的一侧上，使得所述第一再分布层布置在所述第一半导体芯片和所述第三半导体芯片之间；以及

下模制层，所述下模制层位于所述第一再分布层上并覆盖所述第三半导体芯片。

10.根据权利要求9所述的半导体封装件，其中，所述下模制层的侧表面与所述第二半导体芯片的侧表面共面。

11.根据权利要求1所述的半导体封装件，所述半导体封装件还包括：

第三半导体芯片，所述第三半导体芯片位于所述第一再分布层的与其上设置所述第一半导体芯片的一侧相对的一侧上，使得所述第一再分布层布置在所述第一半导体芯片和所述第三半导体芯片之间，所述第三半导体芯片具有多个芯片焊盘；

多个连接端子，所述多个连接端子位于所述第一再分布层和所述第三半导体芯片的所述多个芯片焊盘之间，所述多个连接端子彼此间隔开，使得在它们之间限定间隙；以及

底填充层，所述底填充层填充所述多个连接端子之间的所述间隙。