[发明专利]半导体封装件及其制造方法

说明书

提供了半导体封装件及其制造方法。该半导体封装件包括：第一再分布层；位于第一再分布层上的第一半导体芯片；覆盖第一半导体芯片的模制层；围绕第一半导体芯片并连接到第一再分布层的多个金属柱；位于模制层上并连接到所述多个金属柱的第二再分布层；以及位于第二再分布层上的第二半导体芯片。金属柱延伸穿过模制层。当在俯视图中观察时，第二半导体芯片与第一半导体芯片和金属柱交叠。制造半导体封装件的方法从包括多个第一半导体芯片的第一衬底获得晶片图，以及使用晶片图在第一半导体芯片上选择性地堆叠第二半导体芯片。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月14日向韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2018-0110044的优先权，其整体内容通过引用被并入本文。

技术领域

本发明构思涉及半导体封装件及其制造方法。更具体地，本发明构思涉及多芯片半导体封装件及其制造方法。例如，本发明构思涉及以多芯片半导体封装件的形式实现的图像传感器及其制造方法。

背景技术

当今电子工业的趋势是以合理的价格制造轻质、紧凑、高速、多功能和高性能的产品。使用多芯片堆叠封装技术或系统级封装技术来满足这些趋势。

与单芯片半导体封装件相比，多芯片堆叠封装件或系统级封装件可以执行与多个单元半导体器件的那些功能相对应的许多功能。虽然多芯片堆叠封装件或系统级封装件可能比典型的单芯片封装件厚一些，但它们的平面尺寸与单芯片封装件的平面尺寸相似，因此主要用于高端、紧凑和便携式产品，诸如移动电话、膝上型计算机、存储卡或便携式摄像机。

发明内容

根据本发明构思，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一再分布层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述第一再分布层上；模制层，所述模制层位于所述第一再分布层上并且覆盖所述第一半导体芯片；多个金属柱，所述多个金属柱围绕所述第一半导体芯片并连接到所述第一再分布层，所述多个金属柱竖直地延伸穿过所述模制层；第二再分布层，所述第二再分布层位于所述模制层上并连接到所述多个金属柱；以及第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第二再分布层上。当在俯视图中观察时，所述第二半导体芯片可以与所述第一半导体芯片和所述多个金属柱交叠。

此外，根据本发明构思，提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一再分布层，所述第一再分布层具有相对的上侧和下侧并且包括第一介电材料主体和再分布布线，所述第一再分布层的所述再分布布线包括位于所述第一介电材料主体内的导电图案层；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片设置在所述第一再分布层的下侧上，并电连接到所述第一再分布层的所述再分布布线；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片设置在所述第一再分布层的所述上侧上，并电连接到所述第一再分布层的所述再分布布线；模制层，所述模制层位于所述第一再分布层的所述上侧上，并将所述第二半导体芯片包封在所述第一再分布层上；导电柱，每个所述导电柱竖直地延伸通过位于所述第二半导体芯片的侧面的所述模制层，并电连接到所述第一再分布层的所述再分布布线；第二再分布层，所述第二再分布层位于所述模制层上并且包括第二介电材料主体和再分布布线，所述第二再分布层的所述再分布布线包括位于所述第二介电材料主体内的导电图案层；以及第三半导体芯片，所述第三半导体芯片位于所述第二再分布层上。所述第二再分布层的所述再分布布线电连接到所述导电柱。所述第三半导体芯片具有面向所述第二再分布层并且电连接到所述第二再分布层的所述再分布布线的芯片焊盘。当在俯视图中观察时，所述第三半导体芯片与所述第二半导体芯片和所述导电柱交叠。