[发明专利]一种显示面板及其制备方法在审
| 申请号： | 201910807097.X | 申请日： | 2019-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110611048A | 公开（公告）日： | 2019-12-24 |
| 发明（设计）人： | 赵媛媛 | 申请（专利权）人： | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L27/32;H01L51/56 |
| 代理公司： | 44300 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 430079 湖北省武汉市东湖新技术*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示面板 阴极层 像素区 间隔区 制备 薄膜晶体管基板 阴极 降低功耗 依次设置 阵列排布 高透光 功能层 透光率 外接 压降 升高 | ||
1.一种显示面板，其特征在于，其定义有相互间隔并呈阵列排布的像素区和设置在所述像素区之间的间隔区；其中所述显示面板包括依次设置的薄膜晶体管基板、阴极层和功能层；其中所述像素区上方的所述阴极层的厚度小于所述间隔区上方的所述阴极层的厚度。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素区上方的所述阴极层的厚度范围为100nm～150nm。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述间隔区上方的所述阴极层的厚度范围为400nm～600nm。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阴极层采用的材料包括镁合金或银合金中的一种。
5.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述像素区上方的所述阴极层的透光率大于90％。
6.一种制备根据权利要求1-5任一项所述的显示面板的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S1：提供一薄膜晶体管基板，其定义有相互间隔并呈阵列排布的像素区和和设置在所述像素区之间的间隔区，在所述薄膜晶体管基板上蒸镀第一阴极层；
步骤S2：在位于所述像素区的第一阴极层上方制备马来酸酐层；
步骤S3：在所述像素区和间隔区蒸镀第二阴极层，其中在所述像素区，所述第二阴极层位于所述马来酸酐层上；
步骤S4：将像素区上方的所述马来酸酐和所述第二阴极层剥离，使得该区域处仅保留步骤S1中形成的所述第一阴极层，而在所述间隔区则同时保留上下相接的所述第一阴极层和第二阴极层；
步骤S5：制备功能层。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤S1中使用开放式掩模版蒸镀所述第一阴极层。
8.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2是使用喷墨打印技术在所述像素区上方覆盖所述马来酸酐。
9.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第一阴极层的厚度范围为100nm～150nm。
10.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述第二阴极层的厚度范围为300～500nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉华星光电半导体显示技术有限公司，未经武汉华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201910807097.X/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：显示面板及显示装置
- 下一篇：一种OLED封装结构及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
