[发明专利]包括互补金属氧化物半导体晶体管的集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，所述集成电路器件包括：

基底，包括第一导电型区域和第二导电型区域；

至少一个第一有源区，包括位于第二导电型区域中的至少一个第一导电型晶体管；

至少一个第二有源区，包括位于第一导电型区域中的至少一个第二导电型晶体管，所述至少一个第二有源区与所述至少一个第一有源区分隔开并且隔离区位于所述至少一个第二有源区与所述至少一个第一有源区之间；

隔离膜，位于隔离区中；以及

第一场切割区，沿与所述至少一个第一导电型晶体管和所述至少一个第二导电型晶体管的沟道长度方向平行的第一方向在隔离区中延伸。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，隔离膜包括：

第一隔离部分，位于所述至少一个第一有源区与第一场切割区之间，并限定所述至少一个第一有源区和第一场切割区的相应边界，第一隔离部分具有比隔离区的宽度小的第一宽度；以及

第二隔离部分，位于所述至少一个第二有源区与第一场切割区之间，并限定所述至少一个第二有源区和第一场切割区的相应边界，第二隔离部分具有比隔离区的宽度小的第二宽度。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，第一场切割区包括基底的没有晶体管且位于第二导电型区域中的部分，其中，第一场切割区将隔离膜划分为多个部分，所述多个部分具有比隔离区在垂直于沟道长度方向的方向上的宽度小的相应宽度。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括隔离阱，所述隔离阱位于第一场切割区中并且包括具有比第二导电型区域的掺杂浓度高的掺杂浓度的第二导电型掺杂区。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中：

所述至少一个第一导电型晶体管包括第一栅极和在沟道长度方向上延伸的第一沟道；

所述至少一个第二导电型晶体管包括第二栅极和在沟道长度方向上延伸的第二沟道；并且

第一场切割区包括电连接到第一栅极和第二栅极中的至少一个的隔离阱。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

第二场切割区，与第一场切割区分隔开，并且所述至少一个第一有源区位于第二场切割区与第一场切割区之间；以及

第三场切割区，与第一场切割区分隔开，并且所述至少一个第二有源区位于第三场切割区与第一场切割区之间。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，第二场切割区位于第二导电型区域中，并且

第三场切割区位于第一导电型区域中。

8.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中，第二场切割区包括朝向第一场切割区突出的第一突起，并且

第三场切割区包括朝向第一场切割区突出的第二突起。

9.根据权利要求6所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

第一虚设有源区，位于第一场切割区与第二场切割区之间的没有晶体管的区域中；以及

第二虚设有源区，位于第一场切割区与第三场切割区之间的没有晶体管的区域中。

10.根据权利要求1所述的集成电路器件，所述集成电路器件还包括：

第一保护环，至少部分地围绕所述至少一个第一导电型晶体管并且与第一场切割区分隔开；以及

第二保护环，至少部分地围绕所述至少一个第二导电型晶体管并且与第一场切割区分隔开，

其中，第一保护环和第二保护环位于隔离区的外围或外部。

11.根据权利要求10所述的集成电路器件，其中，第一保护环包括位于第二导电型区域中的第二导电型掺杂区，并且

第二保护环包括位于第一导电型区域中的第一导电型掺杂区。