[发明专利]一种扇出型芯片封装结构及制备方法在审

专利信息
申请号: 201910808168.8 申请日: 2019-08-29
公开(公告)号: CN110634829A 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 张凯;曹立强 申请(专利权)人: 上海先方半导体有限公司
主分类号: H01L23/488 分类号: H01L23/488;H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人: 李钦晓
地址: 200131 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 通孔 导出端 载片 电连接 介质层 金属层 引出端 开口 芯片 芯片封装结构 焊点 熔化 覆盖金属层 绝缘层形成 尺寸要求 固定芯片 芯片功能 载片表面 重布线层 工艺流程 封装件 焊料层 后通孔 扇出型 侧壁 覆盖 填充 制备 节约
【权利要求书】:

1.一种扇出型芯片封装结构,其特征在于,包括:

载片,所述载片的第一表面设有凹槽,凹槽底部设置有通孔,贯穿所述载片的第二表面;

芯片,所述芯片具有功能引出端,芯片具有功能引出端的一面置于所述凹槽内,芯片功能导出端置于所述通孔内;

金属层,覆盖所述通孔的侧壁,所述覆盖金属层后通孔的直径大于所述芯片功能导出端的直径;

焊料层,形成于芯片功能引出端与所述金属层之间;

第一绝缘层,形成于所述芯片与凹槽的空隙,且覆盖所述载片的第一表面;

第一介质层,形成于所述载片的第二表面,且在所述芯片功能引出端的相应位置设有第一开口;

重布线层,形成于所述第一介质层上,通过所述第一开口与所述芯片功能引出端电连接。

2.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,还包括:

第二介质层,形成于所述重布线层上,在所述第二介质层上设有多个第二开口;

焊球,形成于所述第二开口上,与所述重布线层电连接。

3.根据权利要求2所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述芯片功能导出端为带有焊点的导电柱。

4.根据权利要求3所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,还包括:

第二绝缘层,形成于所述通孔与所述金属层之间。

5.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,还包括:

第三绝缘层,包覆芯片除了功能引出端的其他表面。

6.根据权利要求1所述的扇出型芯片封装结构,其特征在于,所述凹槽为梯形截面的凹槽,该凹槽的上开口尺寸大于下开口。

7.一种扇出型芯片封装结构的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:

在载片的第一表面制备凹槽;

在所述凹槽的底部制备盲孔;

在盲孔的侧壁及底部形成金属层,所述盲孔在制备完金属层后的直径大于待封装芯片功能导出端的直径;

将芯片具有功能引出端的一面置于所述凹槽内,使芯片功能导出端置于所述盲孔内;

在芯片功能引出端与所述金属层之间制备焊料层;

制备第一绝缘层,所述第一绝缘层填充芯片与凹槽的空隙,且覆盖所述载片的第一表面;

对所述载片的第二表面进行处理,露出所述芯片功能导出端;

在所述载片的第二表面制备第一介质层,且在所述芯片功能导出端的相应位置设有第一开口;

在所述第一介质层上制备重布线层,通过所述第一开口与所述芯片功能引出端电连接。

8.根据权利要求7所述的扇出型芯片封装结构的制备方法,其特征在于,在在所述第一介质层上制备重布线层的步骤之后,还包括:

在重布线层上制备第二介质层,在所述第二介质层上开设多个第二开口;

在所述第二开口上制备焊球,与所述重布线层电连接。

9.根据权利要求8所述的扇出型芯片封装结构的制备方法,其特征在于,所述在所述凹槽的底部制备盲孔的步骤之后,及所述在盲孔的侧壁及底部形成金属层的步骤之前,还包括:

在盲孔底部和侧壁上制备第二绝缘层。

10.根据权利要求7所述的扇出型芯片封装结构的制备方法,其特征在于,预先制备第三绝缘层,使其包覆芯片除了功能引出端的其他表面。

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