[发明专利]一种扇出型芯片封装结构及制备方法

说明书

本发明公开了一种扇出型芯片封装结构及制备方法，结构包括：载片，一面设有凹槽，凹槽底部设置有通孔；芯片，其功能引出端面置于凹槽内，功能导出端置于通孔内；金属层覆盖通孔的侧壁，覆盖金属层后通孔的直径大于功能导出端直径，焊料层位于功能引出端与金属层间；第一绝缘层形成于芯片与凹槽的空隙，覆盖载片表面；第一介质层位于载片另一表面，在功能引出端的相应位置设有开口；重布线层位于第一介质层上，通过开口与功能引出端电连接。本发明将芯片功能导出端插入载片通孔内，利用熔化的焊点填充功能导出端及通孔间，起到电连接和固定芯片作用，增加封装件的可靠性；简化了工艺流程，降低了通孔的尺寸要求，节约成本，增加了工艺的适用范围。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种扇出型芯片封装结构及制备方法。

背景技术

在芯片封装过程中的芯片位置偏移会影响芯片封装的可靠性，严重时可直接导致失效，因此，芯片偏移一直是困扰封装业界的一大问题点。现有技术中通常采用粘片膜或阻流的方式来限制芯片偏移，采用粘片膜的方式会增加封装成本，且有机膜的加入会加剧封装件的翘曲，仅仅通过阻流来限制偏移，所达到的固定效果较为有限。

发明内容

因此，本发明实施例提供一种扇出型芯片封装结构及制备方法，解决了在芯片封装过程中的芯片位置偏移的问题。

第一方面，本发明实施例提供的一种扇出型芯片封装结构，包括：载片，所述载片的第一表面设有凹槽，凹槽底部设置有通孔，贯穿所述载片的第二表面；芯片，所述芯片具有功能引出端，芯片具有功能引出端的一面置于所述凹槽内，芯片功能导出端置于所述通孔内；金属层，覆盖所述通孔的侧壁，所述覆盖金属层后通孔的直径大于所述芯片功能导出端的直径；焊料层，形成于芯片功能引出端与所述金属层之间；第一绝缘层，形成于所述芯片与凹槽的空隙，且覆盖所述载片的第一表面；第一介质层，形成于所述载片的第二表面，且在所述芯片功能引出端的相应位置设有第一开口；重布线层，形成于所述第一介质层上，通过所述第一开口与所述芯片功能引出端电连接。

在一实施例中，所述的扇出型芯片封装结构，还包括：第二介质层，形成于所述重布线层上，在所述第二介质层上设有多个第二开口；焊球，形成于所述第二开口上，与所述重布线层电连接。

在一实施例中，所述芯片功能导出端为带有焊点的导电柱。

在一实施例中，所述的扇出型芯片封装结构，还包括：第二绝缘层，形成于所述与所述金属层之间。

在一实施例中，所述的扇出型芯片封装结构，还包括：第三绝缘层，包覆芯片除了功能引出端的其他表面。

在一实施例中，所述凹槽为梯形截面的凹槽，该凹槽的上开口尺寸大于下开口。

第二方面，本发明实施例提供的一种扇出型芯片封装结构的制备方法，包括如下步骤：在载片的第一表面制备凹槽；在所述凹槽的底部制备盲孔；在盲孔的侧壁及底部形成金属层，所述盲孔在制备完金属层后的直径大于待封装芯片功能导出端的直径；将芯片具有功能引出端的一面置于所述凹槽内，使芯片功能导出端置于所述盲孔内；在芯片功能引出端与所述金属层之间制备焊料层；制备第一绝缘层，所述第一绝缘层填充芯片与凹槽的空隙，且覆盖所述载片的第一表面；对所述载片的第二表面进行处理，露出所述芯片功能导出端；在所述载片的第二表面制备第一介质层，且在所述芯片功能导出端的相应位置设有第一开口；在所述第一介质层上制备重布线层，通过所述第一开口与所述芯片功能引出端电连接。

在一实施例中，在所述第一介质层上制备重布线层的步骤之后，还包括：在重布线层上制备第二介质层，在所述第二介质层上开设多个第二开口；在所述第二开口上制备焊球，与所述重布线层电连接。

在一实施例中，所述在所述凹槽的底部制备盲孔的步骤之后，及所述在盲孔的侧壁及底部形成金属层的步骤之前，还包括：在盲孔底部和侧壁上制备第二绝缘层。