[发明专利]一种多芯片堆叠封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种多芯片堆叠封装结构，其特征在于，包括：

转接板(1)，开设有贯通其正面与背面的硅通孔(2)，所述转接板(1)的背面开设有凹槽(3)；

第一芯片(4)，通过第一塑封体(5)封装在所述凹槽(3)内；

重布线结构，设置在所述转接板(1)靠近背面的一侧，且分别与所述第一芯片(4)和所述硅通孔(2)电连接；

第二芯片(6)，设置在所述转接板(1)靠近正面的一侧，且通过所述硅通孔(2)与所述重布线结构电连接。

2.根据权利要求1所述的多芯片堆叠封装结构，其特征在于，还包括：

第一绝缘介质层(10)，其正面包封有第一导电垫(11)，背面包封有第二导电垫(12)，所述第一导电垫(11)和第二导电垫(12)通过包封在所述第一绝缘介质层(10)内的第一导电转移结构连接，所述第二导电垫(12)与所述硅通孔(2)电连接；

焊接结构(13)，一端与所述第二芯片(6)电连接，另一端与所述第一导电垫(11)电连接。

3.根据权利要求1或2所述的多芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述重布线结构包括：

第二绝缘介质层(15)，其正面包封有第三导电垫(16)，背面包封有第四导电垫(17)，所述第三导电垫(16)和第四导电垫(17)通过包封在所述第二绝缘介质层(15)内的第二导电转移结构连接，所述第三导电垫(16)分别与所述硅通孔(2)和所述第一芯片(4)电连接；

外接焊球(18)，与所述第四导电垫(17)电连接。

4.根据权利要求1-3任一所述的多芯片堆叠封装结构，其特征在于，所述第一芯片(4)的正面朝向所述凹槽(3)的开口方向，所述第一芯片(4)的正面通过第五导电垫(7)与所述重布线结构(6)连接。

5.根据权利要求1-4任一所述的多芯片堆叠封装结构，其特征在于，还包括包封所述第二芯片(6)的第二塑封体(14)。

6.一种权利要求1-5任一所述的多芯片堆叠封装结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供转接板(1)，所述转接板(1)上开设有贯通其正面与背面的硅通孔(2)，所述转接板(1)的背面开设有凹槽(3)；

在所述转接板(1)靠近正面的一侧制作导电互联结构，所述导电互联结构与所述硅通孔(2)电连接；

在所述凹槽(3)内放置第一芯片(4)，制作第一塑封体(5)包封所述第一芯片(4)；

在所述转接板(1)靠近背面的一侧制作重布线结构，所述重布线结构与所述硅通孔(2)和所述第一芯片(4)电连接；

在所述导电互联结构背离所述硅通孔(2)的一侧放置第二芯片(6)，通过所述导电互联结构连接所述第二芯片(6)与所述硅通孔(2)。

7.根据权利要求6所述的多芯片堆叠封装结构的制作方法，其特征在于，还包括：制作第二塑封体(14)包封所述第二芯片(6)。

8.根据权利要求6或7所述的多芯片堆叠封装结构的制作方法，其特征在于，制作所述导电互联结构的方法包括：

在所述硅通孔(2)上连接第二导电垫(12)；

在所述第二导电垫(12)上连接第一导电转移结构；

在所述第一导电转移结构上连接第一导电垫(11)。

9.根据权利要求6-8任一所述的多芯片堆叠封装结构的制作方法，其特征在于，制作所述重布线结构的方法包括：

在所述第一芯片(4)和所述硅通孔(2)上分别制作第三导电垫(16)；

在所述第三导电垫(16)上连接第二导电转移结构；

在所述第二导电转移结构上连接第四导电垫(17)；

在所述第四导电垫(17)上制作外接焊球(18)。

10.根据权利要求6-9任一所述的多芯片堆叠封装结构的制作方法，其特征在于，连接所述第二芯片(6)与所述硅通孔(2)的方法包括：

在所述第二芯片(6)的正面制作焊接结构(13)；

将所述焊接结构(13)与所述导电互联结构焊接。