[发明专利]一种多芯片堆叠封装结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种多芯片堆叠封装结构及其制作方法。上述多芯片堆叠封装结构包括：转接板，开设有贯通其正面与背面的硅通孔，所述转接板的背面开设有凹槽；第一芯片，通过第一塑封体封装在所述凹槽内；重布线结构，设置在所述转接板靠近背面的一侧，且分别与所述第一芯片和所述硅通孔电连接；第二芯片，设置在所述转接板靠近正面的一侧，且通过所述硅通孔与所述重布线结构电连接。通过转接板设置的凹糟，使第一芯片与第二芯片处于转接板不同空间位置，故第一芯片和第二芯片的封装总尺寸可以超出转接板尺寸，拓展封装空间；第一芯片无需通过硅通孔与重布线结构连接，降低了封装难度、提升了封装可行性，节约了生产成本及工序，适于大规模加工与生产。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种多芯片堆叠封装结构及其制作方法。

背景技术

多芯片一体化是实现产品多功能化的一种重要技术手段，随着电子产品的多功能化的要求，多芯片一体化封装得到了快速发展，同时要求多芯片封装向系统集成、高速、高频、三维、超薄方向发展。TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术，是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案，被称为继引线键合(wire bonding)、载带键合(TAB)和倒装芯片(FC)之后的第4代封装技术。TSV封装技术不仅能够满足多芯片的高密度、小尺寸、多的输出终端I/O数量的要求，而且能够实现高集成，可以满足实现高性能、低延迟、高频率、大宽带等特点的产品封装需求。

现有技术中基于TSV技术的封装结构通常是在转接板的一侧封装芯片，另一侧连接重布线结构，实现芯片的平面封装，芯片尺寸和数量受转接板表面的尺寸限制的影响，即芯片的总封装尺寸不能超出转接板的尺寸，封装空间局限。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有转接板封装技术中的芯片封装为平面封装导致芯片尺寸和数量受转接板表面的尺寸限制，封装空间局限的缺陷，从而提供一种多芯片堆叠封装结构及其制备方法。

本发明第一方面提供一种多芯片堆叠封装结构，包括：

转接板，开设有贯通其正面与背面的硅通孔，所述转接板的背面开设有凹槽；

第一芯片，通过第一塑封体封装在所述凹槽内；

重布线结构，设置在所述转接板靠近背面的一侧，且分别与所述第一芯片和所述硅通孔电连接；

第二芯片，设置在所述转接板靠近正面的一侧，且通过所述硅通孔与所述重布线结构电连接。

进一步地，所述的多芯片堆叠封装结构还包括：

第一绝缘介质层，其正面包封有第一导电垫，背面包封有第二导电垫，所述第一导电垫和第二导电垫通过包封在所述第一绝缘介质层内的第一导电转移结构连接，所述第二导电垫与所述硅通孔电连接；

焊接结构，一端与所述第二芯片电连接，另一端与所述第一导电垫电连接。

进一步地，所述重布线结构包括：

第二绝缘介质层，其正面包封有第三导电垫，背面包封有第四导电垫，所述第三导电垫和第四导电垫通过包封在所述第二绝缘介质层内的第二导电转移结构连接，所述第三导电垫分别与所述硅通孔和所述第一芯片电连接；

外接焊球，与所述第四导电垫电连接。

进一步地，所述第一芯片的正面朝向所述凹槽的开口方向，所述第一芯片的正面通过第五导电垫与所述重布线结构连接。

进一步地，所述的多芯片堆叠封装结构还包括包封所述第二芯片的第二塑封体。

本发明第二方面提供一种上述的多芯片堆叠封装结构的制作方法，包括：

提供转接板，所述转接板上开设有贯通其正面与背面的硅通孔，所述转接板的背面开设有凹槽；