[发明专利]荧光陶瓷及其制备方法、光源装置

权利要求书

1.一种荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光陶瓷包括陶瓷基体以及散布于所述陶瓷基体内的荧光粉体，其中所述陶瓷基体的晶粒内部形成有气孔。

2.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述陶瓷基体的晶粒内部形成有多个均匀分布的所述气孔。

3.根据权利要求2所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述气孔的孔径为0.1μm～2μm。

4.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述荧光粉体的粒径为5μm～30μm。

5.根据权利要求1所述的荧光陶瓷，其特征在于，所述陶瓷基体的晶粒粒径为5μm～20μm。

6.一种荧光陶瓷的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供陶瓷基质原料粉体；

将所述陶瓷基质原料粉体进行烧结，得到晶粒内部形成有气孔的第一粉体；

将所述第一粉体和荧光粉体混合烧结，进而将所述气孔保留在所述陶瓷基体的晶粒内部。

7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述将所述陶瓷基质原料粉体进行烧结，得到晶粒内部形成有气孔的第一粉体的步骤包括：

取部分的所述陶瓷基质原料粉体进行烧结，得到第一粉体坯；其中，剩余的所述陶瓷基质原料粉体为第二粉体；

将所述第一粉体坯进行破碎、研磨，得到晶粒内部形成有所述气孔的所述第一粉体。

8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述取部分的所述陶瓷基质原料粉体进行烧结，得到第一粉体坯的步骤包括：

将所取的部分所述陶瓷基质原料粉体置于一温度为1600℃～1800℃的氛围中烧结2h～6h，得到所述第一粉体坯。

9.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述第一粉体的粒径大于所述第二粉体的粒径。

10.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一粉体和荧光粉体混合烧结的步骤包括：

将所述第一粉体、所述第二粉体、所述荧光粉体以及烧结助剂混合烧结；其中，所述烧结助剂为氧化镁、氧化钇、氧化镧、氧化钛中的至少一种。

11.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述烧结助剂至少包括氧化钛。

12.根据权利要求10所述的制备方法，其特征在于，所述将所述第一粉体、所述第二粉体、所述荧光粉体以及烧结助剂混合烧结的步骤包括：

将所述第一粉体、所述第二粉体、所述荧光粉体以及所述烧结助剂进行球磨混合，以得到第一混合粉体坯；

将所述第一混合粉体坯置于真空或保护气体氛围中进行保温烧结，以得到第二混合粉体坯；其中，烧结温度为1300℃～1600℃，烧结时的压力为20MPa～180MPa，烧结时长为0.5h～4h；

将所述第二混合粉体坯置于空气氛围中进行退火处理，以得到所述荧光陶瓷；其中，所述退火处理的温度为1200℃～1400℃、时长为5h～20h。

13.根据权利要求12所述的制备方法，其特征在于，所述荧光粉体占所述第一混合粉体坯总质量的30％～70％，所述烧结助剂占所述第一混合粉体坯总质量的0.1％～1％，且所述第一粉体与所述第二粉体的质量比为4:6至7:3。

14.一种光源装置，其特征在于，所述光源装置包括如权利要求1至5任一项所述的荧光陶瓷。