[发明专利]荧光陶瓷及其制备方法、光源装置在审
申请号: | 201910808533.5 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN112441817A | 公开(公告)日: | 2021-03-05 |
发明(设计)人: | 李乾;简帅;王艳刚 | 申请(专利权)人: | 深圳市中光工业技术研究院 |
主分类号: | C04B35/00 | 分类号: | C04B35/00;C04B38/00;C04B35/10;C04B35/44;F21V9/30 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 李庆波 |
地址: | 518052 广东省深圳市南山区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 荧光 陶瓷 及其 制备 方法 光源 装置 | ||
本发明涉及激光照明显示技术领域,公开了一种荧光陶瓷及其制备方法、光源装置。该荧光陶瓷包括陶瓷基体以及散布于陶瓷基体内的荧光粉体,其中陶瓷基体的晶粒内部形成有气孔。通过上述方式,本发明能够提高荧光陶瓷的发光效率。
技术领域
本发明涉及激光照明显示技术领域,特别是涉及一种荧光陶瓷及其制备方法、光源装置。
背景技术
激光照明显示技术主要通过蓝色激光激发荧光材料来获取其他波段的荧光。随着激光照明和显示技术的不断发展,对荧光材料各个性能上的要求也不断提高。而目前荧光材料的光转换效率、发光亮度以及导热性较差,并且难以承载更高功率密度的蓝色激光等。
发明内容
有鉴于此,本发明主要解决的技术问题是提供一种荧光陶瓷及其制备方法、光源装置,能够提高荧光陶瓷的发光效率。
为解决上述技术问题,本发明采用的一个技术方案是:提供一种荧光陶瓷,该荧光陶瓷包括陶瓷基体以及散布于陶瓷基体内的荧光粉体,其中陶瓷基体的晶粒内部形成有气孔。
在本发明的一实施例中,陶瓷基体的晶粒内部形成有多个均匀分布的气孔。
在本发明的一实施例中,气孔的孔径为0.1μm~2μm。
在本发明的一实施例中,荧光粉体的粒径为5μm~30μm。
在本发明的一实施例中,陶瓷基体的晶粒粒径为5μm~20μm。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种荧光陶瓷的制备方法,该制备方法包括:提供陶瓷基质原料粉体;将陶瓷基质原料粉体进行烧结,得到晶粒内部形成有气孔的第一粉体;将第一粉体和荧光粉体混合烧结,进而将气孔保留在陶瓷基体的晶粒内部。
在本发明的一实施例中,将陶瓷基质原料粉体进行烧结,得到晶粒内部形成有气孔的第一粉体的步骤包括:取部分的陶瓷基质原料粉体进行烧结,得到第一粉体坯;其中,剩余的陶瓷基质原料粉体为第二粉体;将第一粉体坯进行破碎、研磨,得到晶粒内部形成有气孔的第一粉体。
在本发明的一实施例中,取部分的陶瓷基质原料粉体进行烧结,得到第一粉体坯的步骤包括:将所取的部分陶瓷基质原料粉体置于一温度为1600℃~1800℃的氛围中烧结2h~6h,得到第一粉体坯。
在本发明的一实施例中,第一粉体的粒径大于第二粉体的粒径。
在本发明的一实施例中,将第一粉体和荧光粉体混合烧结的步骤包括:将第一粉体、第二粉体、荧光粉体以及烧结助剂混合烧结;其中,烧结助剂为氧化镁、氧化钇、氧化镧、氧化钛中的至少一种。
在本发明的一实施例中,烧结助剂至少包括氧化钛。
在本发明的一实施例中,将第一粉体、第二粉体、荧光粉体以及烧结助剂混合烧结的步骤包括:将第一粉体、第二粉体、荧光粉体以及烧结助剂进行球磨混合,以得到第一混合粉体坯;将第一混合粉体坯置于真空或保护气体氛围中进行保温烧结,以得到第二混合粉体坯;其中,烧结温度为1300℃~1600℃,烧结时的压力为20MPa~180MPa,烧结时长为0.5h~4h;将第二混合粉体坯置于空气氛围中进行退火处理,以得到荧光陶瓷;其中,退火处理的温度为1200℃~1400℃、时长为5h~20h。
在本发明的一实施例中,荧光粉体占第一混合粉体坯总质量的30%~70%,烧结助剂占第一混合粉体坯总质量的0.1%~1%,且第一粉体与第二粉体的质量比为4:6至7:3。
为解决上述技术问题,本发明采用的又一个技术方案是:提供一种光源装置,该光源装置包括如上述实施例所阐述的荧光陶瓷。
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