[发明专利]一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

将FTO导电玻璃依次置于丙酮、乙醇和水中超声清洗后干燥，得到预处理FTO导电玻璃；

将柠檬酸粉末、甲醇和环己醇混合后再加入六氯化钨粉末，得到前驱体溶液；所述甲醇和环己醇的体积比为5：1；

将所述FTO导电玻璃浸泡在所述前驱体溶液中后进行水热反应，然后取出FTO导电玻璃，依次进行酒精洗、水洗和冷冻干燥，得到含有大量氧空位的缺氧型氧化钨纳米线阵列薄膜的FTO导电玻璃；

将所述缺氧型氧化钨纳米线阵列薄膜的FTO导电玻璃作为工作电极，铂丝作为对电极，Ag/AgCl电极作为参比电极，将吡咯和聚(4-苯乙烯磺酸纳)溶于碳酸丙烯酯中的混合溶液作为电沉积溶液，对工作电极进行恒电流沉积，得到沉积产物；

将所述沉积产物依次用乙醇清洗和烤干，在FTO导电玻璃上得到所述缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜；所述电致变色薄膜具有核壳结构，以缺氧型氧化钨纳米线为核，以聚吡咯为壳，所述缺氧型氧化钨纳米线的直径在20～50nm，所述缺氧型氧化钨纳米线相互缠绕，所述聚吡咯均匀包覆在氧化钨纳米线上。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述水热反应的温度为180℃，时间为9h。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，所述升温至所述水热反应的温度的升温速率为8℃/min。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述冷冻干燥的温度为-20～-80℃，时间为12h。

5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述恒电流沉积的电流为0.4mA，时间为200s。