[发明专利]一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201910808634.2 | 申请日: | 2019-08-29 |
公开(公告)号: | CN110590176B | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 张勇;冯涛;史英迪;汤凯;秦永强;舒霞;崔接武;王岩;吴玉程 | 申请(专利权)人: | 合肥工业大学 |
主分类号: | C03C17/34 | 分类号: | C03C17/34;C09K9/00 |
代理公司: | 石家庄轻拓知识产权代理事务所(普通合伙) 13128 | 代理人: | 王占华 |
地址: | 230000 安徽省合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 缺氧 氧化钨 吡咯 纳米 阵列 变色 薄膜 及其 制备 方法 | ||
本发明提供了一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及应用、全固态锂金属电池及其制备方法,属于电池材料领域。本发明提供的缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的导锂通道从单一的LAGP陶瓷导锂转向聚合物与LAGP双向同时导锂,提升了锂离子扩散速率,减少了电解质与锂金属的副反应,稳定锂金属与电解质界面反应,防止枝晶生长连接正负极造成短路,防止锂枝晶刺穿隔膜引起短路,提升了电池的容量保持效率,延长了电池的循环寿命,且在不同使用温度下仍能保持稳定的性能,同时,缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的厚度可依照需求调节。
技术领域
本发明涉及电致变色薄膜技术领域,尤其涉及一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法。
背景技术
电致变色是指在施加一个微小的电压时,材料会发生可逆的稳定的颜色变化,主要是透光率和(或)反射率的可逆的和持久的变化。电致变色器件的应用主要包括:智能窗、汽车防眩光镜、微电子、节能广告牌以及隐形战斗机和其他军工产品等等。电致变色器件由于其能耗较低、在生活舒适度的提升方面、在隐身材料、智能变色薄膜等领域有着巨大的应用前景,近年来成为了科研领域的热点材料。无机电致变色材料因其优良的性能受到广泛的关注,例如对比度高、光学调控幅度大、循环稳定性好和制备工艺简单等等。在众多的无机电致变色材料中,过渡族金属氧化物由于价态变化、化学稳定性和热稳定性较好,其电致变色性能备受相关研究人员的关注,其中阴极着色材料有氧化钨,氧化钛,氧化钒等,阳极着色材料有氧化镍,氧化钴等。其中,氧化钨是一种典型的电致变色材料,由于其独特的结构,使其具有良好的电致变色性能,如对比度高,响应速度快,稳定性好等。特别是纳米线相互缠绕的网状W18O49(缺氧型氧化钨)薄膜因其特殊的网状结构可以提供大量的电荷传输隧道,从而导致大的扩散系数,纳米线之间的孔空隙减小了Li+离子的扩散路径长度,它们还提供了良好的对齐特性和较大的比表面积。因此将网状的W18O49纳米线阵列薄膜作为模板来合成电致变色材料将被考虑。不幸的是,氧化钨只能从透明变为深蓝色的单一颜色变化,在很大程度上限制了其实际应用。
发明内容
有鉴于此,本发明的目的在于提供一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜及其制备方法。本发明提供的电致变色薄膜以W18O49纳米线阵列薄膜作为基底来沉积聚吡咯,能显著的提升其电致变色性能,实现了多色变化。
为了实现上述发明目的,本发明提供以下技术方案:
本发明提供了一种缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜,所述电致变色材料具有核壳结构,以缺氧型氧化钨纳米线为核,以聚吡咯为壳,所述缺氧型氧化钨纳米线的直径在20~50nm,所述缺氧型氧化钨纳米线相互缠绕,所述聚吡咯均匀包覆在氧化钨纳米线上。
优选地,所述电致变色材料的直径为80~120nm,所述聚吡咯不破坏缺氧型氧化钨纳米线的初始结构。
优选地,所述缺氧型氧化钨纳米线生长在FTO导电玻璃上,所述缺氧型氧化钨纳米线从FTO处开始弯曲生长,且在生长过程中相互交叉缠绕,形成一种网状结构。
优选地,所述电致变色薄膜能够实现淡灰色、红棕色、蓝灰色、黄绿色和蓝绿色之间的快速可逆变化。
本发明还提供了上述技术方案所述的缺氧型氧化钨/聚吡咯核壳纳米线阵列电致变色薄膜的制备方法,包括以下步骤:
将FTO导电玻璃依次置于丙酮、乙醇和水中超声清洗后干燥,得到预处理FTO导电玻璃;
将柠檬酸粉末、甲醇和环己醇混合后再加入六氯化钨粉末,得到前驱体溶液;
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