[发明专利]一种基于硅通孔转接板的封装结构及其制作方法在审

专利信息
申请号: 201910809269.7 申请日: 2019-08-29
公开(公告)号: CN110634832A 公开(公告)日: 2019-12-31
发明(设计)人: 李恒甫;曹立强 申请(专利权)人: 上海先方半导体有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/488;H01L21/60
代理公司: 11250 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 代理人: 宋傲男
地址: 200131 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 硅通孔 转接板 电连接 互联结构 芯片 导电 封装 封装结构 输出终端 芯片封装 芯片位置 塑封体 重布线 包封 排布 塑封 紧凑 背离 贯通 体内 制作 应用
【权利要求书】:

1.一种基于硅通孔转接板的封装结构,其特征在于,包括:

转接板(1),开设有贯通其正面和背面的第一硅通孔(2)和第二硅通孔(3);

第一芯片(4),设置在所述转接板(1)靠近正面的一侧,且与所述第一硅通孔(2)电连接;

第一塑封体(5),包封所述第一芯片(4),所述第一塑封体(5)内设置有第一导电互联结构,所述第一导电互联结构与所述第二硅通孔(3)电连接;

第二芯片(6),设置在所述第一芯片(4)背离所述第一硅通孔(2)的一侧,且与所述第一导电互联结构电连接;

重布线结构,设置在所述转接板(1)靠近背面的一侧,且分别与所述第一硅通孔(2)和所述第二硅通孔(3)电连接。

2.根据权利要求1所述的基于硅通孔转接板的封装结构,其特征在于,所述第一导电互联结构包括:

导电件(7),贯通所述第一塑封体(5)的正面和背面,所述导电件(7)包括导电柱或导电孔;

第一转移线(8),其一端与所述导电件(7)连接,另一端与所述第二硅通孔(3)连接。

3.根据权利要求1或2所述的基于硅通孔转接板的封装结构,其特征在于,所述重布线结构包括第二转移线(14)和外接焊球(15),所述第二转移线(14)的一端与所述第一硅通孔(2)或第二硅通孔(3)连接,另一端与所述外接焊球(15)连接。

4.根据权利要求1-3任一所述的基于硅通孔转接板的封装结构,其特征在于,所述第一芯片(4)通过第二导电互联结构与所述第一硅通孔(2)电连接,所述第二导电互联结构包封在所述第一塑封体(5)内。

5.根据权利要求1-4任一所述的基于硅通孔转接板的封装结构,其特征在于,还包括包封所述第二芯片(6)的第二塑封体(11)。

6.根据权利要求5所述的基于硅通孔转接板的封装结构,其特征在于,所述第二芯片(6)通过第三导电互联结构与所述第一导电互联结构电连接,所述第三导电互联结构包封在所述第二塑封体(11)内。

7.根据权利要求1-6任一所述的基于硅通孔转接板的封装结构,其特征在于,所述第一芯片(4)远离所述第一硅通孔(2)的一面与所述第一塑封体(5)的正面齐平。

8.一种权利要求1-7任一所述的基于硅通孔转接板的封装结构的制作方法,其特征在于,包括:

提供转接板(1),所述转接板(1)上开设有贯通其正面与背面的第一硅通孔(2)和第二硅通孔(3);

在所述转接板(1)靠近正面的一侧放置第一芯片(4),将所述第一芯片(4)的正面与所述第一硅通孔(2)电连接;

制作包封所述第一芯片(4)的第一塑封体(5)及包封在所述第一塑封体(5)内的第一导电互联结构,使所述第一导电互联结构与所述第二硅通孔(3)电连接;

在所述第一芯片(4)背离所述第一硅通孔(2)的一侧放置第二芯片(6),将所述第二芯片(6)的正面与所述第一导电互联结构电连接;

在所述转接板1靠近背面的一侧制作重布线结构,使所述重布线结构分别与所述第一硅通孔(2)和所述第二硅通孔(3)电连接。

9.根据权利要求8所述的基于硅通孔转接板的封装结构的制作方法,其特征在于,制作所述第一塑封体(5)及所述第一导电互联结构的方法包括:

在所述第二硅通孔(3)上制作第一转移线(8),使所述第一转移线(8)的一端与所述第二硅通孔(3)电连接,在所述第一转移线(8)的另一端连接导电件(7),并制作第一塑封体(5)包封所述第一芯片(4)、第一转移线(8)和导电件(7);或者

在所述第二硅通孔(3)上制作第一转移线(8),使所述第一转移线(8)的一端与所述第二硅通孔(3)电连接,制作第一塑封体(5)包封所述第一芯片(4)和第一转移线(8),在所述第一塑封体(5)上制作通孔暴露出所述第一转移线(8)的另一端,并在所述通孔内形成导电件(7)。

10.根据权利要求8或9所述的基于硅通孔转接板的封装结构的制作方法,其特征在于,还包括:

制作第二塑封体(11)包封所述第二芯片(6)。

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