[发明专利]一种基于硅通孔转接板的封装结构及其制作方法

说明书

本发明提供一种基于硅通孔转接板的封装结构及其制作方法。上述基于硅通孔转接板的封装结构包括：转接板，开设有贯通其正面和背面的第一硅通孔和第二硅通孔；第一芯片，设置在转接板靠近正面的一侧，且与第一硅通孔电连接；第一塑封体，包封第一芯片，第一塑封体内设置有第一导电互联结构，第一导电互联结构与第二硅通孔电连接；第二芯片，设置在第一芯片背离第一硅通孔的一侧，且与第一导电互联结构电连接；重布线结构，设置在转接板靠近背面的一侧，且分别与第一硅通孔和第二硅通孔电连接。封装密度高，封装尺寸更紧凑，输出终端I/O数量多，适用于多种尺寸的芯片封装，芯片位置排布灵活性高，硅通孔利用率高，降低封装成本，适于广泛推广和应用。

技术领域

本发明涉及半导体封装技术领域，具体涉及一种基于硅通孔转接板的封装结构及其制作方法。

背景技术

随着目前对电子产品高传输、高带宽、低功耗、低延迟的要求越来越高，对多芯片封装技术的需求也不断增加，新的封装技术层出不穷，不仅要实现多芯片的高密度封装，还需要封装尺寸更加紧凑、有更多的输出终端I/O数量，而基于硅通孔转接板相关的封装技术是满足此要求的技术之一。TSV(through silicon via)技术是穿透硅通孔技术的缩写，一般简称硅通孔技术，这是三维集成电路中堆叠芯片实现互连的一种新的技术解决方案，被称为继引线键合(wire bonding)、载带键合(TAB)和倒装芯片(FC)之后的第4代封装技术。TSV技术不仅能够实现高集成还可以满足实现高性能、低延迟、高频率、大宽带等特点的产品需要。

中国专利文献(CN105428331A)公开了一种基于硅通孔转接板的封装结构，包括硅通孔转接板、倒装芯片、底部填充胶、塑封料和BGA焊球，倒装芯片倒装焊在硅通孔转接板的正面，塑封料包封倒装芯片以及硅通孔转接板，并裸露硅通孔转接板的背面，硅通孔转接板背面植BGA焊球，底部填充胶位于倒装芯片与硅通孔转接板之间。这种封装结构结合了扇出及转接板技术实现系统级封装，使多颗裸芯片或多组堆叠芯片组件组装在一块硅通孔转接板上，形成二维封装结构，不满足多芯片三维封装的需求，封装密度小，使不同尺寸的芯片封装受到限制，并且对于硅通孔转接板上硅通孔的利用率不高，不利于降低封装成本。

发明内容

因此，本发明要解决的技术问题在于克服现有技术中的基于硅通孔转接板的封装结构不满足多芯片三维封装的需求、封装密度小、不适用多种尺寸芯片封装、不利于降低封装成本缺陷，从而提供一种基于硅通孔转接板的封装结构及其制作方法。

本发明第一方面提供一种基于硅通孔转接板的封装结构，包括：

转接板，开设有贯通其正面和背面的第一硅通孔和第二硅通孔；

第一芯片，设置在所述转接板靠近正面的一侧，且与所述第一硅通孔电连接；

第一塑封体，包封所述第一芯片，所述第一塑封体内设置有第一导电互联结构，所述第一导电互联结构与所述第二硅通孔电连接；

第二芯片，设置在所述第一芯片背离所述第一硅通孔的一侧，且与所述第一导电互联结构电连接；

重布线结构，设置在所述转接板靠近背面的一侧，且分别与所述第一硅通孔和所述第二硅通孔电连接。

进一步地，所述第一导电互联结构包括：

导电件，贯通所述第一塑封体的正面和背面，所述导电件包括导电柱或导电孔；

第一转移线，其一端与所述导电件连接，另一端与所述第二硅通孔连接。

进一步地，所述重布线结构包括第二转移线和外接焊球，所述第二转移线的一端与所述第一硅通孔或第二硅通孔连接，另一端与所述外接焊球连接。

进一步地，所述第一芯片通过第二导电互联结构与所述第一硅通孔电连接，所述第二导电互联结构包封在所述第一塑封体内。