[发明专利]存储器元件及其制造方法

权利要求书

1.一种存储器元件，其特征在于，包括：

堆叠结构，包括多个导体层；

柱，穿过所述堆叠结构，其中所述柱包括多个串联的存储单元，所述多个串联的存储单元在柱位置布局图案中位于所述柱与所述导体层的多个交叉点处；

第一停止层，覆盖所述堆叠结构以及部分所述柱的顶面；

接触插塞，穿过所述第一停止层，并延伸至所述柱中，其中所述接触插塞与所述多个串联的存储单元电性连接；以及

接触窗，着陆于所述接触插塞上，借由所述接触插塞与部分的所述柱电性连接。

2.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述接触窗还着陆于所述第一停止层上。

3.根据权利要求1所述的存储器元件，其中所述柱还包括：

绝缘填充物，穿过所述堆叠结构，位于所述接触插塞下方；

通道层，环绕于所述接触插塞的侧壁以及所述绝缘填充物的侧壁；以及

电荷储存层，位于所述通道层与所述堆叠结构之间，其中所述多个串联的存储单元在所述柱位置布局图案中位于所述通道层、所述电荷储存层与所述导体层的多个交叉点处。

4.根据权利要求2所述的存储器元件，其中所述第一停止层覆盖所述通道层以及所述电荷储存层。

5.根据权利要求2所述的存储器元件，其中所述柱还包括第二停止层，设置于所述接触插塞、所述绝缘填充物与所述通道层之间。

6.根据权利要求3所述的存储器元件，还包括绝缘分隔物，穿过所述接触插塞及所述第二停止层，并延伸至所述绝缘填充物中，其中所述接触插塞被分割为第一插塞与第二插塞。

7.根据权利要求6所述的存储器元件，其中所述接触窗包括：

第一接触窗，与所述第一插塞接触；以及

第二接触窗，与所述第二插塞接触。

8.一种存储器元件的制造方法，其特征在于，包括：

在基底上形成堆叠结构；

在所述堆叠结构中形成柱，所述柱上具有凹槽；

在所述堆叠结构与所述柱上以及所述凹槽中形成停止材料层；

移除在所述凹槽的侧壁上的所述停止材料层，以在所述堆叠结构上形成第一停止层，并在所述凹槽的底面形成第二停止层；

在所述凹槽中形成接触插塞；

在所述第一停止层以及所述接触插塞上形成介电层；以及

在所述介电层中形成接触窗，其中所述接触窗与所述接触插塞电性连接。

9.根据权利要求8所述的存储器元件的制造方法，其中所述停止材料层包括：

第一部分，位于所述堆叠结构的顶面上；

第二部分，位于所述凹槽的底面上；以及

第三部分，位于所述凹槽的侧壁上，

其中所述第一部分的厚度大于第二部分的厚度，且所述第二部分的所述厚度大于第三部分的厚度。

10.根据权利要求8所述的存储器元件的制造方法，还包括：

在所述介电层中形成所述接触窗之前，在所述接触插塞、所述第二停止层以及所述柱之中形成开口，其中所述接触插塞被分隔成第一插塞与第二插塞；

在所述开口中形成绝缘分隔物；以及

在所述介电层中形成所述接触窗包括：

在所述介电层中形成第一接触窗，所述第一接触窗与所述第一插塞电性连接；以及

在所述介电层中形成第二接触窗，所述第二接触窗与所述第二插塞电性连接。