[发明专利]薄膜封装结构及显示面板

权利要求书

1.一种薄膜封装结构，其特征在于，包括：

第一无机封装层，用于覆盖待封装器件；

有机封装层，形成在所述第一无机封装层的一侧；

第二无机封装层，形成在所述有机封装层背离所述第一无机封装层的一侧；

至少一层第一无机调整层，形成在所述第一无机封装层背离所述待封装器件的一侧；

其中，所述至少一层第一无机调整层的含氧量高于所述第一无机封装层和/或第二无机封装层的含氧量，且所述至少一层第一无机调整层包括位于所述第一无机封装层和所述有机封装层之间的至少一层第一无机调整层，所述位于所述第一无机封装层和所述有机封装层之间的至少一层第一无机调整层的材料为氮氧化硅层；所述第一无机封装层为氮氧化硅或氧化硅，所述第二无机封装层的材料为氮化硅。

2.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述至少一层第一无机调整层中的一者形成在所述第一无机封装层与所述有机封装层之间。

3.根据权利要求2所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述至少一层第一无机调整层中的一者形成在所述有机封装层与所述第二无机封装层之间。

4.根据权利要求3所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述至少一层第一无机调整层中的一者形成在所述第二无机封装层背离所述有机封装层的一侧。

5.根据权利要求4所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述至少一层第一无机调整层中的一者形成在所述第一无机封装层朝向所述待封装器件的一侧。

6.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，还包括：

第二无机调整层，形成在所述第一无机封装层朝向所述待封装器件的一侧；

其中，所述第二无机调整层的折射率低于所述第一无机封装层的折射率。

7.根据权利要求6所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第二无机调整层为氟化锂。

8.根据权利要求1所述的薄膜封装结构，其特征在于，所述第一无机调整层的厚度为10nm至100nm。

9.根据权利要求1所述薄膜封装结构，其中，所述至少一层第一无机调整层包括两层第一无机调整层，

所述两层第一无机调整层的其中一层位于所述第一无机封装层与所述有机封装层之间，所述两层第一无机调整层的其中另一层位于所述第二无机封装层与所述有机封装层之间。

10.根据权利要求9所述的薄膜封装结构，其中，位于所述第一无机封装层与所述有机封装层之间的第一无机调整层的含氧量高于第一无机封装层；位于所述第二无机封装层与所述有机封装层之间的第一无机调整层的含氧量高于第二无机封装层。

11.根据权利要求9-10中任一所述的薄膜封装结构，其中，位于所述第一无机封装层与所述有机封装层之间的第一无机调整层的厚度大于位于所述第二无机封装层与所述有机封装层之间的第一无机调整层的厚度。

12.根据权利要求11所述的薄膜封装结构，其中，所述第一无机封装层与位于所述第一无机封装层和所述有机封装层之间的所述无机调整层的材料相同。

13.根据权利要求9-10中任一所述的薄膜封装结构，其中，所述位于第二无机封装层与所述有机封装层之间的第一无机调整层的材料为氮氧化硅或氧化硅。

14.根据权利要求13所述的薄膜封装结构，其中，所述第二无机封装层的材料为氮化硅。

15.根据权利要求11所述的薄膜封装结构，其中，所述第一无机封装层为氮氧化硅，所述位于第二无机封装层与所述有机封装层之间的第一无机调整层的材料为氮氧化硅或氧化硅，所述第二无机封装层的材料为氮化硅。