[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

衬底；

有源区和围绕所述有源区的无源区，所述有源区和所述无源区位于所述衬底上；

在所述有源区上的栅电极、漏电极和源电极，所述栅电极、所述漏电极和所述源电极在第一方向上延伸；

漏极互连，所述漏极互连包括：

漏极指，所述漏极指具有沿着所述漏电极的平面形状的图案；以及

在所述无源区上的漏极条，所述漏极条在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且被连接到所述漏极指；以及

源极互连，所述源极互连包括：

源极指，所述源极指具有沿着所述源电极的平面形状的图案；以及

在所述无源区上的源极条，所述源极条在所述第二方向上延伸并且被连接到所述源极指，

其中，所述源极条在所述第一方向上隔着所述有源区位于所述漏极条的相反侧，

其中，所述源电极包括在所述第一方向上面向所述漏极条的第一侧和在所述第一侧的中间的第一凹部，并且

其中，所述第一凹部在所述第一方向上的第一深度等于或大于所述漏极条和所述第一侧之间的在所述第一方向上的第一间隔。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括栅极条，所述栅极条在所述第二方向上位于所述有源区和所述源极条之间，所述栅极条被连接到所述栅电极，

其中，所述源电极包括在所述第一方向上面向所述栅极条的第二侧和在所述第二侧的中间的第二凹部，并且

其中，所述第二凹部在所述第一方向上的第二深度等于或大于所述栅极条和所述第二侧之间的在所述第一方向上的第二间隔。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，

其中，所述源极指包括与所述第二凹部重叠的开口。

4.根据权利要求2或3所述的半导体器件，

其中，所述第一凹部和所述第二凹部之间的在所述第一方向上的第三间隔是所述源电极在所述第一方向上的长度的150/350或更少。

5.根据权利要求1至4中的任一项所述的半导体器件，

其中，所述有源区包括在所述第一方向上面向所述漏极条的第三侧和与所述第一凹部重叠的第三凹部。

6.根据权利要求2至4中的任一项所述的半导体器件，

其中，所述有源区包括在所述第一方向上面向所述源极条的第四侧和与所述第二凹部重叠的第四凹部。

7.根据权利要求1至6中的任一项所述的半导体器件，

其中，所述源极指包括与所述第一凹部重叠的第五凹部。

8.一种半导体器件，包括：

有源区和围绕所述有源区的无源区；

在所述有源区上的栅电极、漏电极和源电极，所述栅电极、所述漏电极和所述源电极在第一方向上延伸；

漏极互连，所述漏极互连包括在所述无源区上的漏极条，所述漏极条在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且被电连接到所述漏电极；以及

源极互连，所述源极互连包括在所述无源区上的源极条，所述源极条在所述第二方向上延伸并且被电连接到所述源电极，

其中，所述源极条在所述第一方向上隔着所述有源区位于所述漏极条的相反侧，

其中，所述源电极包括面向所述漏极条的第一侧和位于所述第一侧的中间的第一凹部，所述第一凹部在平面图中从所述源电极的第一侧向中间下凹，并且

其中，所述第一凹部在所述第一方向上的第一深度等于或大于所述漏极条和所述第一侧之间的在所述第一方向上的第一间隔。

9.根据权利要求8所述的半导体器件，还包括栅极条，所述栅极条在所述第二方向上位于所述有源区和所述源极条之间，所述栅极条被连接到所述栅电极，

其中，所述源电极包括在所述第一方向上面向所述栅极条的第二侧和在所述第二侧的中间的第二凹部，并且

其中，所述第二凹部在所述第一方向上的第二深度等于或大于所述栅极条和所述第二侧之间的在所述第一方向上的第二间隔。