[发明专利]半导体器件

说明书

本发明涉及一种半导体器件，包括衬底；有源区和围绕有源区的无源区；有源区上的栅电极、漏电极和源电极；包括漏极指和漏极条的漏极互连；以及包括源极指和源极条的源极互连。源极条在第一方向上隔着有源区位于漏极条的相反侧。源电极包括在第一方向上面向漏极条的第一侧和在第一侧的中间的第一凹部。第一方向上的第一凹部的第一深度等于或大于第一方向上的漏极条和第一侧之间的第一间隔。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2018年9月13日提交的日本专利申请No.JP2018-171589的优先权，其全部内容通过引用被合并在此。

技术领域

本公开涉及一种半导体器件。

背景技术

作为半导体器件，例如，日本未审专利公开No.2001-284367中描述的高频场效应晶体管(FET)已经被提及。日本未审专利公开No.2001-284367中的FET包括源极欧姆电极和漏极欧姆电极。源极欧姆电极通过源极指被连接到源极提取电极。漏极欧姆电极通过漏极指被连接到漏极提取电极。源极指的尖端相对于源极欧姆电极被缩回，并且漏极指的尖端相对于漏极欧姆电极被缩回。为了改善如在日本未审专利公开No.2001-284367中所公开的FET的高频特性，抑制局部发热和减小寄生电容是有效的。

发明内容

根据本公开的一个实施例，提供一种半导体器件，包括：衬底；有源区和有源区周围的无源区，有源区和无源区位于衬底上；在有源区上的栅电极、漏电极和源电极，该栅电极、漏电极和源电极在第一方向上延伸；漏极互连，包括漏极指，其具有沿着漏电极的平面形状的图案；以及在无源区上的漏极条，该漏极条在与第一方向交叉的第二方向上延伸并且被连接到漏极指；以及源极互连，其包括：源极指，其具有沿着源电极的平面形状的图案；和无源区上的源极条，该源极条在第二方向上延伸并连接到源极指。源极条在第一方向上隔着有源区位于漏极条的相反侧，该源电极包括在第一方向上面向漏极条的第一侧和在第一侧的中间的第一凹部，并且第一凹部的第一深度等于或大于漏极条和第一侧之间的第一间隔。

附图说明

从参考附图对本发明的优选实施例的下面的详细描述中，将更好地理解前述和其他目的、方面和优点，其中：

图1是图示根据实施例的半导体器件的示例的示意平面图；

图2是沿着图1中的II-II线截取的横截面图；

图3A至3C是图示根据实施例的制造晶体管的方法的图；

图4A至4C是图示根据实施例的制造晶体管的方法的图；

图5是用于解释根据实施例的制造晶体管的方法的视图，并且是当形成栅电极时的示意平面图；

图6是用于解释根据实施例的制造晶体管的方法的视图，并且是当将各开口形成在绝缘膜中时的示意平面图；

图7是用于解释根据实施例的制造晶体管的方法的视图，并且是沿着图6中的线VII-VII截取的横截面图；

图8A和8B是用于解释根据实施例的制造晶体管的方法的视图，并且是制造源极指的附近的方法的放大视图；

图9A和9B是用于解释根据实施例的制造晶体管的方法的视图，并且是制造源极指的附近的方法的放大视图；

图10是图示现有技术中的晶体管的示意性平面图；以及

图11是根据修改示例的晶体管的示意性平面图。

具体实施方式

[本公开要解决的问题]