[发明专利]衬底基板及阵列基板的制作方法

权利要求书

1.一种衬底基板，其特征在于，包括：

基板以及位于所述基板上的预处理层，所述预处理层用于向所述基板施加压应力；

柔性基底，所述柔性基底与所述基板分别位于所述预处理层相对的表面上。

2.如权利要求1所述的衬底基板，其特征在于，所述预处理层的热膨胀系数分别小于所述基板和所述柔性基底的热膨胀系数；优选的，所述预处理层的热膨胀系数范围为0.1×10^-6/℃～1×10^-6/℃。

3.如权利要求2所述的衬底基板，其特征在于，所述预处理层包括至少一层有机材料层，和/或，至少一层无机材料层；优选的，所述有机材料层和所述无机材料层交替层叠设置。

4.如权利要求1-3任一项所述的衬底基板，其特征在于，所述预处理层的材料为无机材料；优选的，所述预处理层的材料包括氧化硅、氮化硅或者氮氧化硅中的一种或多种。

5.如权利要求4所述的衬底基板，其特征在于，所述预处理层的厚度0.005μm～1μm。

6.如权利要求1-3任一项所述的衬底基板，其特征在于，所述预处理层的材料为有机材料；优选的，所述预处理层的材料包括黄色聚酰亚胺、聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚苯乙烯、聚碳酸酯或者聚萘二甲酸乙二醇酯中的一种或多种。

7.如权利要求6所述的衬底基板，其特征在于，所述预处理层的厚度为0.1μm～10μm。

8.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

提供基板；

在所述基板上形成预处理层，所述预处理层用于向所述基板施加压应力；

在所述预处理层上形成柔性基底，且所述柔性基底与所述基板分别位于所述预处理层相对的表面上。

9.如权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，采用化学气相沉积工艺、原子层沉积工艺、闪蒸工艺或喷墨打印工艺形成所述预处理层。

10.如权利要求8或9任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述预处理层上形成柔性基底的工艺步骤包括加热固化处理；所述在所述预处理层上形成柔性基底的工艺步骤之后，还包括：进行剥离工艺，使所述柔性基底与所述预处理层分离。