[发明专利]薄晶片分离方法及其装置有效
申请号: | 201910814597.6 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110660709B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 石敦智;黄良印 | 申请(专利权)人: | 苏州均华精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;陈昊宇 |
地址: | 215101 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 分离 方法 及其 装置 | ||
1.一种薄晶片分离方法,其特征在于:其步骤包括:
一膜体,贴附有至少一薄晶片,该膜体相对于所述薄晶片的两端的位置被一上升的刮刀单元所撑高;以及
所述刮刀单元由所述薄晶片的两端朝向薄晶片的中央移动,以将所述膜体由薄晶片的底端予以刮除,而使所述薄晶片与所述膜体相互分离;
贴附有所述薄晶片的所述膜体位于一支撑座的上方,该支撑座设于一盖体的顶端,一负压单元提供一负压气体给所述盖体的顶端,以将所述膜体吸附于盖体的顶端。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述刮刀单元由所述支撑座的两端朝向支撑座的中央移动,以将所述膜体由薄晶片的底端予以刮除;若所述薄晶片与所述膜体相互分离,刮刀单元由所述支撑座的中央回复至一最初位置,并且于回到该最初位置后,所述刮刀单元下降。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于:所述刮刀单元具有二刮刀,这些刮刀由所述支撑座的两端朝向支撑座的中央移动,其一所述刮刀维持原位置,另一所述刮刀下降至一位置,以此使得所述薄晶片与所述膜体相互分离。
4.一种薄晶片分离装置,用于将薄晶片和膜体进行分离,其特征在于:其包含有:
一座体单元;
一负压单元,耦接所述座体单元;以及
一刮刀单元,设于所述座体单元的顶端;
其中,所述刮刀单元相对于所述座体单元升降,并且刮刀单元由该座体单元的两侧朝向座体单元的中央往复运动;
所述座体单元具有一下座、一上座与一支撑座,所述下座设于所述负压单元之间,所述上座设于下座的顶端,所述支撑座设于上座的顶端,所述刮刀单元设于支撑座的两端;
更具有一连杆,该连杆的一端耦接一驱动单元;所述座体单元进一步具有一连杆座,该连杆座耦接所述负压单元,该连杆座具有一连杆孔,以供所述连杆的另一端贯穿;所述薄晶片分离装置更具有一盖体,该盖体盖覆所述连杆座、所述负压单元、所述下座、所述上座、所述支撑座与所述刮刀单元,盖体的顶端供所述支撑座容置。
5.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:所述驱动单元为一凸轮总成或一马达单元或一齿轮箱总成或一油压缸总成或一汽压缸总成。
6.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:所述座体单元更具有一负压座,该负压座设于所述负压单元之间,该负压座与所述连杆的另一端耦接;所述下座耦接负压座的顶端。
7.根据权利要求6所述的装置,其特征在于:所述负压单元为二负压管,该二负压管耦接一负压装置;负压座的两端分别具有一凹槽,以供二负压管容置;所述下座具有二下孔,各下孔供各负压管的一端贯穿;所述上座更具有二上孔,各上孔供各负压管的一端贯穿;所述盖体的顶端具有数个相通的负压槽,负压槽耦接负压管的一端。
8.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:所述下座的底端具有一容槽,下座顶端具有一动力槽,该动力槽的底端具有一动力孔,该动力孔使动力槽与容槽相通;所述容槽中具有一动力单元,该动力单元的一端由所述动力孔延伸至所述动力槽;动力槽中具有一连动单元,该连动单元分别耦接所述刮刀单元与所述动力单元延伸至所述动力槽的一端。
9.根据权利要求8所述的装置,其特征在于:所述动力单元为一马达;所述刮刀单元具有二刮刀;所述连动单元为两相互啮合的齿条,各齿条耦接与其对应的刮刀,以及耦接所述动力单元延伸至所述动力槽的一端。
10.根据权利要求4所述的装置,其特征在于:所述支撑座具有至少一导孔,所述刮刀单元的一端由所述导孔延伸至所述下座;所述盖体的顶端具有一座孔,该座孔供所述支撑座延伸至其中,盖体的顶端更具有数个相通的负压槽,这些负压槽耦接所述负压单元。
11.根据权利要求9所述的装置,其特征在于:所述支撑座供一具有薄晶片的膜体设置,该膜体相对于所述薄晶片两端的位置被上升的所述刮刀单元所撑高,这些刮刀由所述支撑座的两端朝向所述支撑座的中央移动,其一刮刀维持原位置,另一刮刀下降至一位置,以此使得所述薄晶片与所述膜体相互分离。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造