[发明专利]薄晶片分离方法及其装置有效
申请号: | 201910814597.6 | 申请日: | 2019-08-30 |
公开(公告)号: | CN110660709B | 公开(公告)日: | 2022-03-29 |
发明(设计)人: | 石敦智;黄良印 | 申请(专利权)人: | 苏州均华精密机械有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 马明渡;陈昊宇 |
地址: | 215101 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 晶片 分离 方法 及其 装置 | ||
一种薄晶片分离装置,其具有:一座体单元;一负压单元,耦接座体单元;以及一刮刀单元,设于座体单元的顶端;其中,刮刀单元相对于座体单元升降,并且刮刀单元由座体单元的两侧端朝向座体单元的中央往复运动。薄晶片分离装置将贴附于膜体的薄晶片的两端予以撑高,再将位于薄晶片底端的膜体予以去除,以此使得薄晶片与膜体二者相互分离时,薄晶片能够保持其完整性,进而避免薄晶片产生毁损或断裂。一种薄晶片分离方法亦被同时揭露。
技术领域
本发明涉及一种薄晶片分离方法及其装置,尤指一种能够将薄晶片与膜体二者相互分离的方法与其装置。
背景技术
现今的移动电话、数字相机或芯片卡等各种电子产品于轻薄化与多样化的需求下,各厂商持续开发出多功能基体电路与大容量内存。然而多功能基体电路或大容量内存的体积也需因应现有趋势,朝向轻薄短小的方向发展。
该趋势或该需求使基体电路的封装技术面临极大的挑战,为此晶片薄型化已俨然成为各厂商发展的趋势。薄型化晶片亦被称为薄晶片。
然而现有的晶片加工方式是将数个晶片黏附于一膜体,在将这些晶片移至下一制程。若欲将晶片与膜体相互分离时,一顶针由膜体的底端向上顶出,通过一向上的推抵力量,以使晶片与膜体相互分离。
上述加工方式应用于一般具有相当厚度的晶片,其顶针顶出方式无法适用上述薄晶片,因其无法承受顶针的向上推抵力量,而使薄晶片产生毁损或断裂的情况,故各厂商无不思考如何于薄晶片与膜体相互分离时,薄晶片不会毁损或断裂的装置或方式。
因此,如何解决上述现有技术存在的不足,便成为本发明所要研究解决的课题。
发明内容
本发明的目的是提供一种薄晶片分离方法及其装置。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种薄晶片分离方法,其步骤包括:
一膜体,贴附有至少一薄晶片,该膜体相对于所述薄晶片的两端的位置被一上升的刮刀单元所撑高;以及
所述刮刀单元由所述薄晶片的两端朝向薄晶片的中央移动,以将所述膜体由薄晶片的底端予以刮除,而使所述薄晶片与所述膜体相互分离。
上述技术方案中的有关内容解释如下:
1.上述方案中,贴附有所述薄晶片的所述膜体位于一支撑座的上方,该支撑座设于一盖体的顶端,一负压单元提供一负压气体给所述盖体的顶端,以将所述膜体吸附于盖体的顶端。
2.上述方案中,所述刮刀单元由所述支撑座的两端朝向支撑座的中央移动,以将所述膜体由薄晶片的底端予以刮除;若所述薄晶片与所述膜体相互分离,刮刀单元由所述支撑座的中央回复至一最初位置,并且于回到该最初位置后,所述刮刀单元下降。
3.上述方案中,所述刮刀单元具有二刮刀,这些刮刀由所述支撑座的两端朝向支撑座的中央移动,其一所述刮刀维持原位置,另一所述刮刀下降至一位置,以此使得所述薄晶片与所述膜体相互分离。
为达到上述目的,本发明采用的技术方案是:
一种薄晶片分离装置,其包含有:
一座体单元;
一负压单元,耦接所述座体单元;以及
一刮刀单元,设于所述座体单元的顶端;
其中,所述刮刀单元相对于所述座体单元升降,并且刮刀单元由该座体单元的两侧朝向座体单元的中央往复运动。
上述技术方案中的有关内容解释如下:
1.上述方案中,所述座体单元具有一下座、一上座与一支撑座,所述下座设于所述负压单元之间,所述上座设于下座的顶端,所述支撑座设于上座的顶端,所述刮刀单元设于支撑座的两端。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造